mos管的米勒效應(yīng)-講的很詳細(xì)

1、米勒效應(yīng)的影響：MOSFETMOSFET的柵極驅(qū)動過程，可以簡單的理解為驅(qū)動源對的柵極驅(qū)動過程，可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFETMOSFET的輸入電容（主的輸入電容（主要是柵源極電容要是柵源極電容CgsCgs）的充放電過程；當(dāng)）的充放電過程；當(dāng)CgsCgs達(dá)到門檻電壓之后，達(dá)到門檻電壓之后，MOSFETMOSFET就會就會進(jìn)入開通狀態(tài)；當(dāng)進(jìn)入開通狀態(tài)；當(dāng)MOSFETMOSFET開通后，開通后，VdsVds開始下降，開始下降，IdId

2、開始上升，此時開始上升，此時MOSFETMOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，VgsVgs會持續(xù)一段時間不再上升，此時會持續(xù)一段時間不再上升，此時IdId已經(jīng)達(dá)已經(jīng)達(dá)到最大，而到最大，而VdsVds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，VgsVgs又上升到驅(qū)動電壓又上升到驅(qū)動電壓的值，此時的值，此時MOSFETMOSFET進(jìn)入電阻區(qū)，此時進(jìn)入電阻區(qū)，此時VdsVds徹底降下來，

3、開通結(jié)束。徹底降下來，開通結(jié)束。由于米勒電容阻止了由于米勒電容阻止了VgsVgs的上升，從而也就阻止了的上升，從而也就阻止了VdsVds的下降，這樣就會使損的下降，這樣就會使損耗的時間加長。耗的時間加長。（VgsVgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而VdsVds下降）下降）米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過后

4、GS電壓又開始上升直至完全導(dǎo)通。為什么會有穩(wěn)定值這段呢？因為，在MOSMOS開通前，開通前，D極電壓大于極電壓大于G極電壓，極電壓，MOSMOS寄生電容寄生電容CgdCgd儲存的電量需要在其導(dǎo)通時儲存的電量需要在其導(dǎo)通時注入注入G極與其中的電荷中和，因極與其中的電荷中和，因MOSMOS完全導(dǎo)通后完全導(dǎo)通后G極電壓大于極電壓大于D極電壓極電壓。米勒效應(yīng)會嚴(yán)重增加MOS的開通損耗。（MOS管不能很快得進(jìn)入開關(guān)狀態(tài)）所以就出現(xiàn)了所謂的圖騰驅(qū)動

5、??！選擇MOS時，Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應(yīng)不可能完全消失。MOSFET中的米勒平臺實際上就是MOSFET處于“放大區(qū)”的典型標(biāo)志用用示波器測量用用示波器測量GSGS電壓，可以看到在電壓上升過程中有一個平臺或凹坑，這就電壓，可以看到在電壓上升過程中有一個平臺或凹坑，這就是米勒平臺。是米勒平臺。米勒效應(yīng)指在米勒效應(yīng)指在MOSMOS管開通過程會產(chǎn)生米勒平臺管開通過程會產(chǎn)生米勒平臺，原理如下。理論上驅(qū)動電路在G級和S級之間加足夠大的電

6、容可以消除米勒效應(yīng)。但此時開關(guān)時間會拖的很長。一般推薦值加0.1Ciess的電容值是有好處的。下圖中粗黑線中那個平緩部分就是米勒平臺。to~t1:Vgsfrom0toVth.Mosfet沒通.電流由寄生二極管Df.t1~t2:VgsfromVthtoVa.Idt2~t3:Vds下降.引起電流繼續(xù)通過Cgd.Vdd越高越需要的時間越長.Ig為驅(qū)動電流.開始降的比較快.當(dāng)Vdg接近為零時Cgd增加.直到Vdg變負(fù)Cgd增加到最大.下降變慢.