模擬的電子技術(shù)基礎(chǔ)期末試題

1、實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案精彩文檔填空題填空題1在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為0.5V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V；鍺二極管的門檻電壓約為_0.1_V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為_0.2_V。2、二極管的正向電阻小；反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦浴＃校谓Y(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?，穩(wěn)壓二極管在使用時(shí)，穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián)，穩(wěn)壓二極管與輸入電源之間必須加入

2、一個(gè)電阻。5、電子技術(shù)分為模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)兩大部分，其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號(hào)下工作的電子電路及其技術(shù)，稱為模擬電子技術(shù)。6、PN結(jié)反向偏置時(shí)，PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)。PN具有具有單向?qū)щ娞匦浴?、硅二極管導(dǎo)通后，其管壓降是恒定的，且不隨電流而改變，典型值為0.7伏；其門坎電壓Vth約為0.5伏。8、二極管正向偏置時(shí)，其正向?qū)娏饔啥鄶?shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成。9、P型半導(dǎo)體的多子為空穴、N型半導(dǎo)體的多子為自由電子、本

3、征半導(dǎo)體的載流子為電子—空穴對(duì)。10、因摻入雜質(zhì)性質(zhì)不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體可為空穴（P）半導(dǎo)體和電子（N）半導(dǎo)體兩大類。11、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?，它的兩個(gè)主要參數(shù)是反映正向特性的最大整流電流和反映反向特性的反向擊穿電壓。12、在常溫下，硅二極管的開啟電壓約為0.5V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V。13、頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號(hào)的情況下，輸出隨頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。15、N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空

4、穴。16、按一個(gè)周期內(nèi)一只三極管的導(dǎo)通角區(qū)分，功率放大電路可分為甲類、乙類、甲乙類三種基本類型。17、在阻容耦合多級(jí)放大電路中，影響低頻信號(hào)放大的是耦實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案精彩文檔組態(tài)的頻率響應(yīng)好。29、三極管放大電路的三種基本組態(tài)是共集、共基、共射。30、多級(jí)放大器各級(jí)之間的耦合連接方式一般情況下有直接耦合，阻容耦合，變壓器耦合。31、在單級(jí)共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察VO和VI的波形，則VO和VI的相位差為1800；當(dāng)為共

5、集電極電路時(shí)，則VO和VI的相位差為0。32、放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是飽和失真和截止失真。33、晶體管工作在飽和區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)a，集電結(jié)a；工作在放大區(qū)時(shí)，集電結(jié)b，發(fā)射結(jié)a。（填寫a正偏，b反偏，c零偏）34、在共射、共集和共基三種放大電路組態(tài)中，希望電壓放大倍數(shù)大、輸出電壓與輸入電壓反相，可選用共射組態(tài)；希望輸入電阻大、輸出電壓與輸入電壓同相，可選用共集組態(tài)。35、場(chǎng)效應(yīng)管同雙極型三極管相比，其輸入電阻大，熱穩(wěn)定性好36、影

6、響放大電路通頻帶下限頻率fL的是隔直電容和極間電容。37、三極管工作在放大區(qū)時(shí)，它的發(fā)射結(jié)保持正向偏置，集電結(jié)保持反向偏置。38、場(chǎng)效應(yīng)管有共源、共柵、共漏三種組態(tài)。39、在多級(jí)放大電路中總的通頻帶比其中每一級(jí)的通頻帶窄。40、場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分成結(jié)型FET和MOSFET兩大類型，它屬于電壓控制型器件。41、場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制電流型器件，而雙極型半導(dǎo)體三極管則可以認(rèn)為是電流控制電流型器件。42、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件器件，只依靠多