半導(dǎo)體器件物理復(fù)習(xí)重點(diǎn)

1、第一章PN結(jié)1.1PN結(jié)是怎么形成的？耗盡區(qū)：正因?yàn)榭臻g電荷區(qū)內(nèi)不存在任何可動(dòng)的電荷，所以該區(qū)也稱(chēng)為耗盡區(qū)?？臻g電荷邊緣存在多子濃度梯度，多數(shù)載流子便受到了一個(gè)擴(kuò)散力。在熱平衡狀態(tài)下，電場(chǎng)力與擴(kuò)散力相互平衡。p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體接觸面形成pn結(jié)，p區(qū)中有大量空穴流向n區(qū)并留下負(fù)離子，n區(qū)中有大量電子流向p區(qū)并留下正離子（這部分叫做載流子的擴(kuò)散），正負(fù)離子形成的電場(chǎng)叫做空間電荷區(qū)，正離子阻礙電子流走，負(fù)離子阻礙空穴流走（這部分叫做載流子

2、的漂移），載流子的擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，所以pn結(jié)不加電壓下呈電中性。1.2PN結(jié)的能帶圖（平衡和偏壓）無(wú)外加偏壓，處于熱平衡狀態(tài)下，費(fèi)米能級(jí)處處相等且恒定不變。1.3內(nèi)建電勢(shì)差計(jì)算N區(qū)導(dǎo)帶電子試圖進(jìn)入p區(qū)導(dǎo)帶時(shí)遇到了一個(gè)勢(shì)壘，這個(gè)勢(shì)壘稱(chēng)為內(nèi)建電勢(shì)差。所以pn結(jié)內(nèi)就形成了一股由n區(qū)到p區(qū)的電子和p區(qū)到n區(qū)的空穴。電荷的流動(dòng)在pn結(jié)內(nèi)形成了一股電流。過(guò)剩少子電子：正偏電壓降低了勢(shì)壘，這樣就使得n區(qū)內(nèi)的多子可以穿過(guò)耗盡區(qū)而注入到p區(qū)內(nèi)，注

3、入的電子增加了p區(qū)少子電子的濃度。2.2少數(shù)載流子分布（邊界條件和近似分布）2.3理想PN結(jié)電流??????????????1expkTeVJJas????????????0020011ppdnnainpnpnpsDNDNenLneDLpeDJ??2.4PN結(jié)二極管的等效電路（擴(kuò)散電阻和擴(kuò)散電容的概念）？擴(kuò)散電阻：在二極管外加直流正偏電壓，再在直流上加一個(gè)小的低頻正弦電壓，則直流之上就產(chǎn)生了個(gè)疊加小信號(hào)正弦電流，正弦電壓與正弦電流就產(chǎn)生