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1、材料材料Ｘ射線光電子能譜數(shù)據(jù)處理及分峰的分析實例Ｘ射線光電子能譜數(shù)據(jù)處理及分峰的分析實例例：將劑量為1?107ionscm2，能量為45KeV的碳離子注入單晶硅中，然后在1100C退火2h進行熱處理。對單晶硅試樣進行XPS測試，試對其中的C1s高分辨掃瞄譜進行解析，以確定各種可能存在的官能團。分析過程：1、在igin中處理數(shù)據(jù)圖1圖3此時以結(jié)合能作為橫坐標，光電子強度作為縱坐標，繪出C1s譜圖，檢查譜圖是否有尖峰，如果有，那是脈沖，應(yīng)把
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