3.一些電子常用名詞

1、第一章常用英文縮寫1.1PROMPROM（ProgrammableReadOnlyMemy），可編程只讀存儲器，也叫OneTimeProgrammable(OTP)ROM“一次可編程只讀存儲器”，是一種可以用程序操作的只讀內(nèi)存。最主要特征是只允許數(shù)據(jù)寫入一次，如果數(shù)據(jù)燒入錯誤只能報廢。1.2EPROMEPROM（ErasableProgrammableReadOnlyMemy），可擦除可編程只讀寄存器。EPROM是一種具有可擦除功能，擦

2、除后即可進(jìn)行再編程的ROM內(nèi)存，寫入前必須先把里面的內(nèi)容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類芯片比較容易識別，其封裝中包含有“石英玻璃窗”，一個編程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干膠紙蓋住，以防止遭到陽光直射。EPROM芯片可重復(fù)擦除和寫入，解決了PROM芯片只能寫入一次的弊端。1.3E2PROMEEPROM(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemy)

3、，電可擦可編程只讀存儲器，一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。EEPROM可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。EEPROM（帶電可擦寫可編程只讀存儲器）是用戶可更改的只讀存儲器（ROM），其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從計算機(jī)中取出即可修改。1.4CMOS和TTLCMOS，全稱ComplementaryMetalOxideSemiconduct，即互補(bǔ)金屬

4、氧化物半導(dǎo)體，是一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料。采用CMOS技術(shù)可1）TTL電路是電流控制器件，而CMOS電路是電壓控制器件。2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短（510ns），但是功耗大。CMOS電路的速度慢，傳輸延遲時間長（2550ns），但功耗低。CMOS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關(guān)，頻率越高，芯片集越熱，這是正?，F(xiàn)象。3）CMOS電路的鎖定效應(yīng)（擎柱效應(yīng)）：CMOS電路由于輸入太大的電流，內(nèi)部的電流急劇增大，

5、除非切斷電源，電流一直在增大。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時，CMOS的內(nèi)部電流能達(dá)到40mA以上，很容易燒毀芯片。防御措施：1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過不超過規(guī)定電壓。2）芯片的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。3）在VDD和外電源之間加限流電阻，即使有大的電流也不讓它進(jìn)去。4）當(dāng)系統(tǒng)由幾個電源分別供電時，開關(guān)要按下列順序：開啟時，先開啟CMOS電路得電源，再開啟輸入信號和負(fù)載的電源；關(guān)閉

6、時，先關(guān)閉輸入信號和負(fù)載的電源，再關(guān)閉CMOS電路的電源。6，CMOS電路的使用注意事項1）CMOS電路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很強(qiáng)。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恒定的電平。2）輸入端接低內(nèi)阻的信號源時，要在輸入端和信號源之間要串聯(lián)限流電阻，使輸入的電流限制在1mA之內(nèi)。3）當(dāng)接長信號傳輸線時，在CMOS電路端接匹配電阻。4）當(dāng)輸入端接大電容時，應(yīng)該在輸入端和電容間接保護(hù)電阻

7、。電阻值為R=V01mA.V0是外界電容上的電壓。5）CMOS的輸入電流超過1mA，就有可能燒壞CMOS。7，TTL門電路中輸入端負(fù)載特性（輸入端帶電阻特殊情況的處理）：1）懸空時相當(dāng)于輸入端接高電平。因為這時可以看作是輸入端接一個無窮大的電阻。2）在門電路輸入端串聯(lián)10K電阻后再輸入低電平，輸入端出呈現(xiàn)的是高電平而不是低電平。因為由TTL門電路的輸入端負(fù)載特性可知，只有在輸入端接的串聯(lián)電阻小于910歐時，它輸入來的低電平信號才能被門電