黑龍江省哈六中2009屆高三第一次模擬考試(理綜)word版

1、abCO2含量ab光照強(qiáng)度光合速率光合速率哈爾濱市第六中學(xué)哈爾濱市第六中學(xué)20092009屆高三第一次模擬考試屆高三第一次模擬考試?yán)砜凭C合試卷本試卷分第I卷（選擇題）和第II卷（非選擇題）兩部分。滿分300分?？荚嚂r(shí)間150分鐘第I卷（選擇題（選擇題共126126分）分）一、選擇題（本題包括13小題，每小題6分。每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意）1、下面甲、乙兩圖分別表示植物的光合速率與光照強(qiáng)度、CO2含量的關(guān)系。對兩圖而言，下列敘述正確的是

2、：甲乙A若土壤中N、P、Mg含量持續(xù)下降，不可能導(dǎo)致兩圖中ab點(diǎn)改變B若環(huán)境溫度發(fā)生變化，會(huì)導(dǎo)致兩圖中ab點(diǎn)位置改變C若圖中表示的是陽生植物，則對陰生植物而言甲圖中a點(diǎn)應(yīng)向右移動(dòng)D若圖中表示的是C3植物，則對C4植物而言乙圖中a點(diǎn)應(yīng)向右移動(dòng)2、下列關(guān)于硝化細(xì)菌的說法正確的是A線粒體是硝化細(xì)菌進(jìn)行有氧呼吸的主要場所B葉綠體是硝化細(xì)菌進(jìn)行同化作用的主要場所C硝化細(xì)菌可以將氨轉(zhuǎn)變?yōu)閬喯跛猁}和硝酸鹽D硝化細(xì)菌的細(xì)胞質(zhì)中的遺傳物質(zhì)是RNA3、下列

3、關(guān)于抗原的敘述，正確的是A.人體內(nèi)的細(xì)胞不可能成為抗原B.抗原侵入人體后的反應(yīng)機(jī)理與過敏原相同C.能夠特異性中和細(xì)菌外毒素的物質(zhì)是一種抗原D.一種抗原只能與相應(yīng)的抗體或效應(yīng)T細(xì)胞發(fā)生特異性結(jié)合4、在培養(yǎng)金黃色葡萄球菌時(shí)污染了青霉菌，青霉菌菌落附近一圈區(qū)域內(nèi)金黃色葡萄球菌不能生存。下列相關(guān)敘述錯(cuò)誤的是A青霉素與金黃色葡萄球菌之間為競爭關(guān)系B取少量處于對數(shù)期的金黃色葡萄球菌，接種到適合其生長但成分不同的另一培養(yǎng)基中，其誘導(dǎo)酶種類可能發(fā)生改變

4、C青霉素是青霉菌的次級(jí)代謝產(chǎn)物D若青霉菌菌落附近仍存在一個(gè)金黃色葡萄球菌菌落，根本原因是金黃色葡萄球菌擬核DNA發(fā)生了抗青霉素的基因突變5、下列關(guān)于生態(tài)因素對生物影響的說法錯(cuò)誤的是C硫化鈉溶于水中：S2－＋2H2O＝H2S↑＋2OH－D碳酸鎂溶于硝酸中：CO32－＋2H＋＝H2O＋CO2↑12用惰性電極實(shí)現(xiàn)電解，下列說法正確的是()A電解稀硫酸溶液，實(shí)質(zhì)上是電解水，故溶液pH不變B電解稀氫氧化鈉溶液，要消耗OH－，故溶液pH減小C電解硫

5、酸鈉溶液，在陰極上和陽極上析出產(chǎn)物的物質(zhì)的量之比為1:2D電解氯化銅溶液，在陰極上和陽極上析出產(chǎn)物的物質(zhì)的量之比為1:113將aLH2和Cl2的混合氣體點(diǎn)燃，充分反應(yīng)后，將混合氣體通入含bmolNaOH的熱溶液中，氣體恰好被完全吸收，NaOH無剩余，測得反應(yīng)后溶液中含Cl—、ClO—、ClO3—且三者物質(zhì)的量之比為8∶1∶1，則原混合氣體中H2物質(zhì)的量為（）Aa2molB（a22.4—b）molC（a22.4—b2）molDb2mol二

6、、選擇題(本題包括8小題。每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，有的只有一個(gè)選項(xiàng)正確，有的有多個(gè)選項(xiàng)正確，全部選對的得6分，選對但不全的得3分，有選錯(cuò)的得0分)14、用三根輕繩將質(zhì)量為m的物塊懸掛在空中，如圖所示.已知繩ac和bc與豎直方向的夾角分別為30和60，則ac和bc繩中的拉力分別為（）A.23mg，21mgB.21mg，23mgC.43mg，21mgD.21mg，43mg15、如圖所示為一列簡諧橫波在t＝0時(shí)刻的波形圖象.經(jīng)過△t＝1.2s

7、時(shí)間，恰好第三次重復(fù)出現(xiàn)圖示的波形.根據(jù)以上信息，可以得出（）A.波的傳播速度的大小B.△t＝1.2s時(shí)間內(nèi)質(zhì)元P經(jīng)過的路程C.t＝0.6s時(shí)刻質(zhì)元P的速度方向D.t＝0.6s時(shí)刻的波形16、邊長為L的正方形金屬框在水平恒力F作用下運(yùn)動(dòng)，穿過方向如圖所示的有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁場區(qū)域的寬度為d（d＞L）.已知ab邊進(jìn)入磁場時(shí)，線框的加速度恰好為零，則線框進(jìn)入磁場的過程和從磁場另一側(cè)穿出的過程相比較，有（）A.產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反B.所受