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1、北京交通大學(xué)北京交通大學(xué)大學(xué)物理實(shí)驗(yàn)論文大學(xué)物理實(shí)驗(yàn)論文專(zhuān)業(yè):交通運(yùn)輸大類(lèi)專(zhuān)業(yè):交通運(yùn)輸大類(lèi)姓名:李祖芬姓名:李祖芬學(xué)號(hào):學(xué)號(hào):112710031127100311.2光譜測(cè)量系統(tǒng)原理入射狹縫S12上、出射狹縫S2兩個(gè)均為直狹縫,寬度范圍從0mm~2mm連續(xù)可調(diào),出射狹縫S3是與CCD接受器等大小的狹縫。光源發(fā)出的光束進(jìn)入入射狹縫S1,S1位于反射式準(zhǔn)光鏡M2的焦面上,通過(guò)S1入射的光束經(jīng)M2反射成平行光束投向平面光柵G上,衍射后的平行
2、光束經(jīng)物鏡M3成像在S2上或經(jīng)物鏡M3和反射鏡M4成像在S3上。1.2.1CCD的工作原理電荷耦合攝像器件(CCD)最為突出的特點(diǎn)是以電荷為信號(hào)的載體。它的基本功能是電荷的存儲(chǔ)以及電荷的轉(zhuǎn)移。所以,其CCD的基本工作過(guò)程主要為電荷的產(chǎn)生、存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移和檢測(cè)。1、電荷的產(chǎn)生CCD電荷的產(chǎn)生是由光電二極管內(nèi)Si襯底中的內(nèi)光電效應(yīng)產(chǎn)生的。Si單晶材料,在室溫下價(jià)帶于導(dǎo)帶的電勢(shì)差一般為1.1eV。只有能量大于此電勢(shì)差的光子才能進(jìn)行光電效應(yīng)并產(chǎn)生電
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