納米二氧化硅表面離子印跡聚合物對(duì)水中鉛離子的分離富集行為研究[畢業(yè)設(shè)計(jì)]

1、<p><b>　　本科畢業(yè)論文</b></p><p><b>　?。?0_ _屆）</b></p><p>　　納米二氧化硅表面離子印跡聚合物對(duì)水中鉛離子的分離/富集行為研究</p><p>　　所在學(xué)院 </p><p>　　專

2、業(yè)班級(jí) 環(huán)境工程 </p><p>　　學(xué)生姓名 學(xué)號(hào) </p><p>　　指導(dǎo)教師 職稱 </p><p>　　完成日期 年 月 </p><p>　　摘要: 以Pb(II

3、)離子為模板，殼聚糖為功能單體，硅膠為載體，γ-(2、3環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷(KH-560)為偶聯(lián)劑，采用表面分子印跡技術(shù)和溶膠-凝膠法制備了Pb(II)印跡聚合物。固相萃取與電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法(ICP-AES)聯(lián)用優(yōu)化了實(shí)驗(yàn)條件，測(cè)定了其在水溶液中的選擇性和最大吸附容量。</p><p>　　關(guān)鍵詞: 表面離子印跡；電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法；吸附；Pb(II)</p>&l

4、t;p>　　Abstract:A Pb(II) imprinted Polymers was synthesized by surface molecular imprinting technology and sol - gel method in the presence of Pb(Ⅱ),chitosan and γ-glycidoxysilane (KH-560).Combined with solid phase ext

5、raction and inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES) optimized experimental conditions.Determined Pb(II) selectivity in aqueous solution and the maximum adsorption capacity.</p><p>

6、　　Keyword:Surface ionic imprinting;Inductively coupled plasma atomic emission spectrometry;Adsorption;Lead ions( Pb(II) )</p><p><b>　　目 錄</b></p><p>　　摘要...........................

7、.................................................................................................................................Ⅰ </p><p>　　Abstract.........................................................

8、...............................................................................................Ⅱ</p><p>　　1 緒論錯(cuò)誤!未定義書簽。</p><p><b>　　1.1 引 言1</b></p><p>　　1.2 實(shí)驗(yàn)儀器、藥品

9、與儀器工作條件1</p><p>　　1.2.1 實(shí)驗(yàn)儀器1</p><p>　　1.2.2 實(shí)驗(yàn)藥品2</p><p>　　1.2.3 儀器工作條件2</p><p>　　2 實(shí)驗(yàn)部分錯(cuò)誤!未定義書簽。</p><p>　　2.1 實(shí)驗(yàn)流程4</p><p>　　2.2

10、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容4</p><p>　　2.3.1 飽和吸附容量實(shí)驗(yàn)4</p><p>　　2.3.2 選擇性實(shí)驗(yàn)5</p><p>　　3 結(jié)果與分析錯(cuò)誤!未定義書簽。</p><p>　　3.1 紅外光譜表征6</p><p>　　3.2 紫外光譜表征6</p><p>　　3

11、.3 掃描電鏡分析7</p><p>　　3.4 最佳吸附條件的選擇8</p><p>　　3.4.1 酸度對(duì)吸附率的影響8</p><p>　　3.4.2 靜置時(shí)間對(duì)吸附率的影響9</p><p>　　3.4.3 吸附劑用量對(duì)吸附率的影響9</p><p>　　3.4.4 最佳洗脫液的選擇9&

12、lt;/p><p>　　3.4.5 飽和吸附容量實(shí)驗(yàn)9</p><p>　　3.4.6 選擇性實(shí)驗(yàn)10</p><p>　　4 結(jié)論錯(cuò)誤!未定義書簽。</p><p>　　參考文獻(xiàn)錯(cuò)誤!未定義書簽。</p><p>　　致謝錯(cuò)誤!未定義書簽。</p><p><b>　　1

13、 緒論</b></p><p><b>　　1.1 引 言</b></p><p>　　鉛是一種無(wú)機(jī)環(huán)境激素，在人體內(nèi)聚集到一定程度就會(huì)影響人的正常代謝活動(dòng)，對(duì)人體造成嚴(yán)重危害，分離富集環(huán)境中痕量鉛非常重要。固相萃取具有富集倍數(shù)高，測(cè)定安全，用量小，易于自動(dòng)化等優(yōu)點(diǎn)，近年來廣泛用于富集重金屬。傳統(tǒng)的固相萃取吸附劑如活性炭和離子交換樹脂等的選擇性比較差。分

14、子印跡聚合物的高選擇性和優(yōu)良的理化性能，如耐酸堿、耐高溫高壓、耐機(jī)械振動(dòng)、耐有機(jī)溶劑等，使其在模擬抗體與受體[1-3]、酶模擬催化[4]、免疫分析、藥物的分離與純化、異構(gòu)體和對(duì)映體的分離、生物大分子識(shí)別等領(lǐng)域得以廣泛應(yīng)用，特別在色譜分離[5-6]、手性物質(zhì)拆分[7-10]、仿生傳感器[11-17]、固相萃取[18-25]等領(lǐng)域顯示出很好的應(yīng)用前景。</p><p>　　傳統(tǒng)MIPs的制備方法如整體聚合、乳液聚合、

15、懸浮聚合等，都存在結(jié)合位點(diǎn)分布過深、不易洗脫、結(jié)合容量低等缺點(diǎn)。表面分子印跡技術(shù)在表面積很大的基體表面進(jìn)行印跡，使結(jié)合位點(diǎn)位于材料表面，因而增大了吸附容量，提高了吸附選擇性，有效地克服了包埋深、洗脫難的弊端，成為國(guó)內(nèi)外的研究熱點(diǎn)。</p><p>　　本文以Pb(II)離子為模板，殼聚糖為功能單體，硅膠為載體，γ-(2、3環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷(KH-560)為偶聯(lián)劑，采用表面分子印跡技術(shù)和溶膠-凝膠法制備了

16、Pb(II)印跡聚合物。固相萃取與電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法(ICP-AES)聯(lián)用優(yōu)化了實(shí)驗(yàn)條件，測(cè)定了其在水溶液中的選擇性和最大吸附容量。</p><p>　　1.2 實(shí)驗(yàn)儀器、藥品與儀器工作條件 </p><p>　　1.2.1 實(shí)驗(yàn)儀器</p><p>　　KQ2200DE型數(shù)控超聲波清洗器（昆山市超聲儀器有限公司）；</p><

17、p>　　恒溫振蕩器（金壇市富華儀器有限公司）；</p><p>　　電子天平（北京賽多利斯儀器系統(tǒng)有限公司）；</p><p>　　離心沉淀器（上海分析儀器廠）；</p><p>　　SHZ-D(III) 循環(huán)水式真空泵（鞏義市英峪予華儀器廠）；</p><p>　　PHS-3C PH酸度計(jì)（上海理達(dá)儀器廠）；</p>&

18、lt;p>　　0.15 mm標(biāo)準(zhǔn)篩（無(wú)錫中科建材儀器有限公司）；</p><p>　　DZF-6051型真空干燥箱（上海一恒科技有限公司）；</p><p>　　NICOLET NEXUS 470 FT-IR光譜儀（美國(guó)熱電公司）；</p><p>　　UV-2450 紫外可見光譜儀（日本島津公司）；</p><p>　　TAS-986

19、 原子吸收分光光度計(jì)（北京普析通用儀器有限責(zé)任公司）；</p><p>　　VISTA-MPX ICP-OES電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（美國(guó)瓦里安公司）；</p><p>　　S-4800場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（日本日立高技術(shù)公司）。</p><p>　　1.2.2 實(shí)驗(yàn)藥品</p><p>　　殼聚糖（脫乙酰度≥90%，分析純，國(guó)藥集團(tuán)化

20、學(xué)試劑有限公司）；</p><p>　　γ-(2、3環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷（南京曙光化工集團(tuán)有限公司）；</p><p>　　硅膠（100目，國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司）；</p><p>　　氫氧化鈉（分子純，上?；瘜W(xué)試劑有限公司）；</p><p>　　硝酸鉛（分析純，中國(guó)醫(yī)藥上?；瘜W(xué)試劑公司）；</p><p>

21、;　　無(wú)水乙酸鈉（分析純，國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司）；</p><p>　　乙酸（分析純，中國(guó)醫(yī)藥上?；瘜W(xué)試劑公司）；</p><p>　　實(shí)驗(yàn)用水為二次去離子水。</p><p>　　1.2.3 儀器工作條件</p><p>　　原子吸收光譜法、等離子體原子發(fā)射光譜法的工作條件見表3.1,3.2,3.3：</p><p&

22、gt;　　表3.1 原子吸收光譜法測(cè)Pb的條件</p><p>　　Table3.1 Working conditions of instrument</p><p>　　表3.2 ICP-AES的工作條件</p><p>　　Table 3.2 Working conditions of ICP-AES</p><p>　　表3.3 I

23、CP-AES所選用的各元素的分析波長(zhǎng)</p><p>　　Table 3.3 Analytical wavelength of determined elements by ICP-AES</p><p><b>　　2 實(shí)驗(yàn)部分</b></p><p>　　2.1 實(shí)驗(yàn)流程 </p><p>　　硅膠于110 ℃活

24、化1 h。將2.0 g 殼聚糖溶解到80 mL 0.1 mol·L-1 的醋酸溶液中，然后加入0.4 mmol Pb(II) 離子。在恒溫磁力攪拌器中于25℃反應(yīng)1 h，使殼聚糖和Pb(II)離子充分反應(yīng)生成復(fù)合物。再向混合溶液中加入17.68 mL交聯(lián)劑KH-560，常溫?cái)嚢?.5 h，使之充分反應(yīng)生成高度交聯(lián)的網(wǎng)狀聚合物。向混合液中加入一定量的活化硅膠，超聲分散30 min。將制得的Pb(II)印跡聚合物于室溫下干燥至完全

25、凝膠化，于真空干燥箱中50 ℃烘干，研成粉末，用3 mol·L-1 的鹽酸溶液洗至檢測(cè)不到Pb(II)離子，再用0.1 mol·L-1 的氫氧化鈉溶液、雙蒸水洗至溶液呈中性。于50 ℃真空箱中干燥，過100目篩，備用。非印跡聚合物的制備方法與上述過程相似，只是不加模板Pb(II)離子。制備流程如圖3.1所示：</p><p>　　圖3.1 Pb(II)離子印跡聚合物的制備流程圖</p&g

26、t;<p>　　Fig.3.1 Preparation process of Pb(II)-ion imprinted polymer SiO2 colloidal sol</p><p><b>　　2.2 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容</b></p><p>　　2.3.1 飽和吸附容量實(shí)驗(yàn)</p><p>　　用醋酸和醋酸鈉調(diào)節(jié)溶液的pH為

27、4.5，取0.3 g 印跡聚合物(或非印跡聚合物)加入到含Pb(II)濃度為150, 200, 250, 300, 350, 400, 450, 500 µg·mL-1 的100 mL 溶液中，振蕩10 min，于室溫下靜置吸附5 h，離心沉淀15 min，測(cè)定上清液中剩余Pb(II)濃度。吸附容量按式(1)計(jì)算：</p><p><b>　?。?）</b></p&

28、gt;<p>　　其中：Q為吸附容量(mg·g-1)，C0 和Ce 分別為初始Pb(II)濃度和吸附后溶液中剩余Pb(II)的濃度(µg·mL-1)，V為溶液體積(mL)，W為吸附劑干重(mg)。</p><p>　　2.3.2 選擇性實(shí)驗(yàn)</p><p>　　配制濃度分別為1.0, 2.5, 5.0, 8.0, 10.0, 12.0, 15.

29、0 µg·mL-1，含有Cd(II), Co(II), Cu(II), Hg(II), Mn(II), Ni(II), Pb(II), Zn(II) 八種離子的混合標(biāo)準(zhǔn)溶液。調(diào)節(jié)溶液pH為4.5，將0.3 g 印跡聚合物(或非印跡聚合物)加入50 mL 12 µg·mL-1 的混合溶液中，振蕩10 min，靜置吸附5 h，離心沉淀15 min，用ICP-AES測(cè)定上清液中剩余離子的濃度。</

30、p><p>　　分配系數(shù)，選擇性系數(shù)和相對(duì)選擇性系數(shù)是評(píng)價(jià)聚合物吸附性能的重要指標(biāo)。</p><p>　　Pb(II)相對(duì)于其它干擾離子的分配系數(shù)按(2)式計(jì)算：</p><p><b>　?。?）</b></p><p>　　其中：Kd, C0 和Ce 分別是分配系數(shù)，初始和最終溶液濃度。</p><p

31、>　　共存離子條件下Pb(II)的選擇性系數(shù)按(3)式計(jì)算：</p><p><b>　?。?）</b></p><p>　　其中：k 是選擇性系數(shù)，Kd(Pb(II)) 和Kd(X)) 分別是模板離子和共存干擾離子的分配系數(shù)。k 值是評(píng)價(jià)印跡聚合物選擇性的指標(biāo)。</p><p>　　相對(duì)選擇性系數(shù)按(4)式計(jì)算：</p>

32、<p><b>　?。?）</b></p><p>　　其中：k′ 是相對(duì)選擇性系數(shù)，k(IIP) 和 k(NIP) 分別是Pb(II)印跡和非印跡聚合物的選擇性系數(shù)。</p><p><b>　　3 結(jié)果與分析</b></p><p>　　3.1 紅外光譜表征</p><p>　　溴

33、化鉀壓片法測(cè)得殼聚糖、硅烷偶聯(lián)劑、硅膠、非印跡聚合物和Pb(II) 印跡聚合物洗脫前后的紅外光譜見圖4.2。</p><p>　　圖3.2 聚合物及其原料的紅外光譜</p><p>　　Fig.3.2 Infrared spectra of prepared polymer and its raw materials</p><p>　　由圖3.2可知，殼聚糖形成配

34、合物后，3432.2、1599及1630.2 cm-1處的N-H的特征峰，1409.9 cm-1處的νC-N均發(fā)生了一定的位移，說明殼聚糖結(jié)構(gòu)中-NH2 參與了配位反應(yīng)；1091.5 cm-1處的νas(C-OH)也發(fā)生了一定位移，表明殼聚糖結(jié)構(gòu)中-OH也參與了配位反應(yīng)；1150.5 cm-1處νC-O-C也發(fā)生紅移，由于配合物中參與配位的比例較小，故紅移現(xiàn)象不是很明顯。</p><p>　　γ-(2、3環(huán)氧丙氧

35、)丙基三甲氧基硅烷的分子式為CH2OCHCH2O(CH2)3Si(OCH3)3，其紅外譜圖在1080和1100 cm-1處出現(xiàn)Si-O-Si的吸收峰，表明在水解、縮合和縮聚過程中，烷氧基硅烷中的Si-OR基團(tuán)逐漸轉(zhuǎn)化為Si-OH和Si-O-Si基團(tuán)，低聚體相互縮合生成交聯(lián)度較高的Si-O-Si網(wǎng)絡(luò)，多聚體逐漸生成[26]。硅膠印跡后的吸收峰變得尖銳，峰強(qiáng)度明顯變小。比較Pb(II) 印跡和非印跡譜圖(b)，750 cm-1處的KH-56

36、0 特征峰的消失進(jìn)一步證實(shí)印跡過程的發(fā)生。</p><p>　　3.2 紫外光譜表征</p><p>　　殼聚糖、硅膠、Pb(II)印跡聚合物的紫外可見吸收光譜如圖3.3所示。由圖可知，純殼聚糖和硅膠在紫外光區(qū)沒有明顯的吸收峰，而制得的Pb(II)印跡聚合物在250～300 nm 附近有吸收峰，應(yīng)該是由金屬鹽中的醋酸根陰離子的nπ*躍遷所致，這證實(shí)了殼聚糖與金屬離子之間的配位螯合。<

37、;/p><p>　　圖3.3 Pb(II)印跡聚合物, CTS, 硅膠的紫外可見光譜圖</p><p>　　Fig.3.3 UV spectra of Pb(II)-imprinted polymer, CTS and silica gel</p><p>　　3.3 掃描電鏡分析</p><p>　　為了對(duì)所得印跡和非印跡聚合物的表面形貌進(jìn)行

38、分析，我們做了掃描電鏡分析。硅膠、Pb(II)印跡聚合物洗脫前、洗脫后、及非印跡聚合物的掃描電鏡分析見圖3.4。由圖可知，純硅膠(圖a)的表面比較平坦光滑，形成印跡聚合物(圖c)后，其表面變得粗糙不平；洗脫后印跡聚合物(圖b)的表面凹凸不平，像是很有多微球堆積而成，這是因?yàn)槟０宸肿酉疵摵螅粝铝撕芏嘤≯E空穴而致。而非印跡聚合物(圖a)表面仍比較平坦，變化不大。印跡過程使聚合物表面變得粗糙，不僅增大了吸附表面積，而且結(jié)合位點(diǎn)分布也很稠密，

39、這有利于增大其吸附容量，提高對(duì)模板的識(shí)別能力。</p><p>　　(a) (b)</p><p>　　(c) (d)</p><p>　　圖3.4 硅膠、Pb(II)印跡和非印跡聚合物的掃描電鏡圖</p><p>　　Fig.3.4

40、SEM of silica gel, Pb(II)-imprinted and non-imprinted polymer</p><p>　　硅膠，(b) Pb(II)離子印跡聚合物(洗脫后)，</p><p>　　(c) Pb(II)離子印跡聚合物(洗脫前)，(d)非印跡聚合物</p><p>　　其中(a)放大20倍，(b),(c),(d)各放大100倍<

41、;/p><p>　　3.4 最佳吸附條件的選擇</p><p>　　3.4.1 酸度對(duì)吸附率的影響</p><p>　　配制pH分別為1，2，3，4，5，6，7，8，Pb(II)濃度為12 µg·mL-1 的溶液，加入0.3 g Pb(II) 印跡聚合物，振蕩10 min，靜置吸附5 h，離心沉淀15 min，用原子吸收法(FAAS)測(cè)定上清液中

42、剩余Pb(II)濃度。為了便于比較，取等量非印跡聚合物、硅膠、殼聚糖于上述相同條件下做吸附實(shí)驗(yàn)。測(cè)定結(jié)果見圖3.5。</p><p><b>　　圖3</b></p><p>　　由圖3.5可知，四種物質(zhì)對(duì)Pb(II)的吸附率均隨溶液pH值的增大而增大，當(dāng)PH大于7時(shí)，Pb(II)離子基本上完全被吸附，這是因?yàn)镻b(II)離子在堿性條件下生成了沉淀。Pb(II)印跡聚

43、合物對(duì)Pb(II)的吸附率遠(yuǎn)大于非印跡聚合物、硅膠和殼聚糖。當(dāng)PH大于4.5時(shí)，Pb(II)印跡聚合物對(duì)Pb(II)的吸附率大于93％，而其它三種物質(zhì)的吸附率較低。因此本實(shí)驗(yàn)最佳吸附酸度為4.5。</p><p>　　3.4.2 靜置時(shí)間對(duì)吸附率的影響</p><p>　　在pH為4.5的最佳酸度下，取0.3 g 印跡聚合物加入到12 µg·mL-1 的Pb(II)溶

44、液中，振蕩10 min，分別靜置1, 3, 5, 12, 16, 24, 36, 48 h，離心沉淀15 min，用FAAS法測(cè)定上清液中剩余Pb(II)的濃度。由結(jié)果可知，聚合物對(duì)Pb(II)的吸附率隨靜置時(shí)間延長(zhǎng)而上升，當(dāng)時(shí)間超過5 h后，吸附率達(dá)到95%以上，并且不再增大。因此本實(shí)驗(yàn)吸附時(shí)間為5 h。</p><p>　　3.4.3 吸附劑用量對(duì)吸附率的影響</p><p>　　在

45、pH為4.5的最佳酸度下，分別取印跡聚合物0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5 g 加入到12 µg·mL-1 的Pb(II)溶液中，振蕩10 min，靜置5 h，離心沉淀15 min，用FAAS法測(cè)定上清液中剩余Pb(II)濃度。由結(jié)果可知，吸附劑用量為0.3 g 時(shí)，吸附率超過94％，再增加吸附劑用量吸附率沒有明顯提高。因此本實(shí)驗(yàn)吸附劑用量為0.3 g。</p><p>　　3.

46、4.4 最佳洗脫液的選擇</p><p>　　制得的Pb(II)印跡聚合物分別用等量濃度為0.1, 0.5, 1, 2, 3, 6 mol·L-1的鹽酸振蕩洗脫，直至檢測(cè)不到Pb(II)為止。結(jié)果發(fā)現(xiàn)：3 mol·L-1 的鹽酸洗脫效果最好。酸度太大容易發(fā)生質(zhì)子化，不易洗脫；酸度太小不能破壞模板與聚合物之間的結(jié)合作用。故本實(shí)驗(yàn)選用3 mol·L-1 的鹽酸洗脫</p>

47、<p>　　3.4.5 飽和吸附容量實(shí)驗(yàn)</p><p>　　在pH為4.5時(shí)，0.3 g Pb(II)印跡聚合物和非印跡聚合物的吸附容量見圖3.6。由圖知，Pb(II)離子印跡和非印跡聚合物的飽和吸附量分別是12.1和24.3 mg·g-1。Pb(II)印跡聚合物的飽和吸附量是非印跡聚合物的2倍多。因?yàn)榉怯≯E聚合物對(duì)Pb(II)的吸附屬于物理吸附，而印跡聚合物上的大量模板空穴對(duì)Pb(II

48、)有很好的識(shí)別能力，大大提高了吸附容量。</p><p>　　圖3.6 Pb(II)印跡和非印跡聚合物的吸附容量</p><p>　　Fig.3.6 The adsorption capacity of Pb(II)-imprinted and non-imprinted polymer</p><p>　　3.4.6 選擇性實(shí)驗(yàn)</p><p

49、>　　對(duì)Pb(II)印跡和非印跡聚合物而言，Pb(II)離子相對(duì)于其它干擾離子的分配系數(shù)(Kd)，選擇性系數(shù)(k)和相對(duì)選擇性系數(shù)(k′)見表3.4。</p><p>　　表3.4 Pb(II)印跡和非印跡聚合物的分配系數(shù)、選擇性系數(shù)和相對(duì)選擇性系數(shù)</p><p>　　Table4.4 Distribution coefficient, selectivity coefficien

50、t and relative selectivity coefficient of Pb(II)-imprinted and non-imprinted polymer</p><p>　　注：Kd(Pb(II)) Pb(II)離子的分配系數(shù)；Kd(X))干擾離子的分配系數(shù)；IIP離子印跡聚合物；NIP非印跡聚合物。</p><p>　　由表3.4數(shù)據(jù)可知：在相同的實(shí)驗(yàn)條件下，印跡聚合物對(duì)

51、Pb(II)離子的選擇性系數(shù)大于相應(yīng)的非印跡聚合物，對(duì)模板Pb(II)離子具有很強(qiáng)的專一性。Pb(II)離子印跡聚合物可用做固相萃取吸附劑測(cè)定樣品中的痕量Pb(II)。</p><p><b>　　4 結(jié)論</b></p><p>　　以Pb(II)為模板離子，殼聚糖為功能單體，納米硅膠為載體，γ-(2、3環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷(KH-560)為偶聯(lián)劑，采用表面

52、分子印跡技術(shù)和溶膠-凝膠法制備了Pb(II)離子印跡聚合物。并采用紅外光譜、紫外光譜和掃描電鏡等手段對(duì)所得Pb(II)離子印跡和非印跡聚合物進(jìn)行表征。研究了吸附酸度、靜置時(shí)間和吸附劑用量對(duì)Pb(II)離子印跡聚合物吸附性能的影響，優(yōu)化了實(shí)驗(yàn)條件。本實(shí)驗(yàn)的最佳條件是：最佳吸附酸度為4.5，吸附時(shí)間為5 h，吸附劑用量為0.3 g，選用3 mol·L-1 的鹽酸作洗脫液。</p><p>　　以所制備的Pb

53、(II)離子印跡聚合物為固相吸附劑，將分子印跡固相萃取技術(shù)與電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法聯(lián)用測(cè)定了Pb(II)離子印跡聚合物在水溶液中對(duì)Pb(II)的選擇性和最大吸附容量。結(jié)果表明：于最佳實(shí)驗(yàn)條件下，Pb(II)離子印跡和非印跡聚合物的飽和吸附量分別是12.1和24.3 mg·g-1。Pb(II)離子印跡聚合物的飽和吸附量是非印跡聚合物的2倍多。因?yàn)榉怯≯E聚合物對(duì)Pb(II)的吸附屬于物理吸附，而印跡聚合物上的大量模板空穴對(duì)

54、Pb(II)有很好的識(shí)別能力，大大提高了吸附容量。</p><p><b>　　參考文獻(xiàn)</b></p><p>　　Doody M A, Baker G A, Pandey S, Bright F V. Chem. Mater., 2000, 12(4):1142~1147</p><p>　　Kato K, Saito T, Seelan

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