直板型手機proe結(jié)構(gòu)設(shè)計方案

1、<p>　　直板型手機PRO/E結(jié)構(gòu)設(shè)計方案</p><p><b>　　設(shè)計過程與步驟</b></p><p><b>　　1.繪制手機蓋</b></p><p><b>　　1.1繪制手機上蓋</b></p><p>　　1、單擊“草繪“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面DTM

2、1作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　1-01</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖1-01所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。</p><p>　　2、點擊基準(zhǔn)平面工具按鈕，出現(xiàn)基準(zhǔn)平面窗口，選擇DTM1，偏距平移 XX，如圖所示</p>

3、;<p>　　3、單擊“草繪“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面TOP作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。1-02</p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖1-02所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。</p><p>　　4、單擊“邊界混合”按鈕，選取圖1-01中弧形線，按住CTRL再選取圖1-02中的直線，最后創(chuàng)建的邊界曲面如下圖所示：&

4、lt;/p><p><b>　　點擊完成。</b></p><p>　　5、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面DTM1作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　1-03</b></p><p>　　

5、6、在草繪平面內(nèi)繪制如圖1-03所示草繪剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為4X，然后點擊完成。</p><p>　　7、選取上一步所完成的邊界混合面，點擊“編輯”菜單中“加厚”，厚度為4mm，方向向上。</p><p><b>　　1-04</b></p><p>　　如圖1-04所示，在設(shè)計

6、圖板點擊去除材料，完成后則如下圖所示：</p><p>　　8、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面RIGHT作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　1-05 </b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖1-05所示草繪剖面圖，完成

7、后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為60，選取然后點擊完成。如下圖1-06所示。</p><p><b>　　1-06</b></p><p>　　9、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面TOP作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p>

8、<p><b>　　1-07</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖1-07所示草繪剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為60，然后點擊完成。如下圖1-08所示。</p><p><b>　　1-08</b></p><p>　　10、單擊“拉伸“按鈕打

9、開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面DTM1作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　1-09</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖1-09所示草繪剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為60，然后點擊完成。如下圖1-10所示

10、。</p><p><b>　　1-11</b></p><p>　　11、選取“到圓角”按鈕，設(shè)計圖標(biāo)板倒圓角值為0.75，選取所有面，點擊完成，如下圖1-12所示。</p><p><b>　　1.2繪制手機下蓋</b></p><p>　　1、點擊基準(zhǔn)平面工具按鈕，出現(xiàn)基準(zhǔn)平面窗口，選擇DTM

11、1，偏距平移30。</p><p>　　2、單擊“草繪“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面DTM2作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　2-01</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖2-01所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。</p><p>　

12、　3、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面DTM2作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　2-02</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖2-02所示草繪剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為54，然后點擊

13、完成。如下圖2-03所示。</p><p>　　4、單擊“草繪“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面RIGHT作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　2-03</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖2-03所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。</p><p

14、>　　5、單擊“草繪“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面FRONT1作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　2-04</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖2-04所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。</p><p>　　6、單擊“草繪“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面FRONT2

15、作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　2-05</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖2-05所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。</p><p>　　7、單擊“邊界混合”按鈕，按住CTRL選取圖2-03、2-04、2-05中的曲線，最后創(chuàng)建的邊界曲面如下

16、圖所示：</p><p><b>　　點擊完成。</b></p><p>　　8、點擊基準(zhǔn)平面工具按鈕，出現(xiàn)基準(zhǔn)平面窗口，選擇DTM2，偏距平移70.</p><p>　　9、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面DTM3作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</

17、p><p><b>　　2-06</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖2-06所示草繪剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為11，然后點擊完成。如下圖2-07所示。</p><p><b>　　2-07</b></p><p>　　10、選取上

18、一步所完成的邊界混合面，點擊“編輯”菜單中“加厚”，厚度為15mm，方向向上。</p><p><b>　　如圖所示：</b></p><p>　　在設(shè)計圖板點擊去除材料，如下圖所示：</p><p>　　11、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面DTM3作為草繪平面，

19、隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　2-08</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖2-08所示草繪剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為20，然后點擊完成。如下圖2-09所示。</p><p><b>　　圖2-09</b></p>

20、<p>　　12、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面RIGHT作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　2-10</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖2-10所示草繪剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。點取“去除材料”

21、，點擊，</p><p>　　在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為50，然后點擊完成。如下圖2-11所示。</p><p><b>　　2-11</b></p><p>　　13、、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面DTM3作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式. <

22、/p><p><b>　　2-12</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖2-12所示草繪剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。點取“去除材料”，點擊，</p><p>　　在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為30，然后點擊完成。如下圖2-13所示</p><p><b>　　2-13<

23、/b></p><p>　　下圖2-14為效果圖：</p><p><b>　　2.繪制手機殼</b></p><p><b>　　2.1繪制手機前殼</b></p><p>　　1、單擊“草繪“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面TOP作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。3-

24、01</p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-01所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。</p><p>　　2、單擊“草繪“按鈕，選擇下圖中的基準(zhǔn)平面作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-03所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。</p>

25、<p><b>　　3-03</b></p><p>　　3、點擊基準(zhǔn)平面工具按鈕，出現(xiàn)基準(zhǔn)平面窗口，選擇DTM1，偏距平移95.</p><p>　　4、點擊基準(zhǔn)平面工具按鈕，出現(xiàn)基準(zhǔn)平面窗口，選擇DTM2，偏距平移5. </p><p>　　5、單擊“草繪“按鈕，選取基準(zhǔn)平面DTM2作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪

26、”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　3-04</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-04所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。</p><p>　　6、單擊“邊界混合”按鈕，選取圖3-05中的兩條草繪線，最后創(chuàng)建的邊界曲面如圖所示：</p><p><b>　　3

27、-05</b></p><p>　　7、選取上一步所完成的邊界混合面，點擊“編輯”菜單中“加厚”，厚度為0.75mm，方向向Y。</p><p>　　8、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面DTM2作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式. </p><p><b>　　

28、3-06</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-06所示草繪剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為XXX，然后點擊完成。如下圖3-07所示。</p><p><b>　　3-07</b></p><p>　　9、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面

29、板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面FRONT作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式.</p><p><b>　　3-08</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-08所示草繪剖面圖，點擊，</p><p>　　完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為20，然后點擊完成。如下圖

30、3-09所示。</p><p><b>　　3-09</b></p><p>　　10、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面作為RIGHT草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式.</p><p><b>　　3-10</b></p>&l

31、t;p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-10所示草繪剖面圖，點擊，，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為XX，然后點擊完成。如下圖3-11所示。</p><p><b>　　3-11</b></p><p>　　11、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)

32、平面作為RIGHT草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式.</p><p><b>　　3-12</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-12所示草繪剖面圖，點擊，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為20，然后點擊完成。如下圖3-13所示。</p><p><b>　　3-13<

33、/b></p><p>　　12、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面作為RIGHT草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式.</p><p><b>　　3-14</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-14所示草繪剖面圖，點擊，完成后在右工具箱中單擊完成

34、按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為20，然后點擊完成。如下圖3-15所示。</p><p><b>　　3-15</b></p><p>　　13、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取3-16中彩色部分基準(zhǔn)平面作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式.</p><p

35、><b>　　3-16</b></p><p><b>　　3-17</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-17所示草繪剖面圖，點擊，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為XX，然后點擊完成。如下圖3-18所示。</p><p><b>　　3-18&l

36、t;/b></p><p>　　14、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取3-16中彩色部分基準(zhǔn)平面作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式. </p><p><b>　　3-19</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-19所示草繪剖面圖，點擊，完成后在右工

37、具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為XX，然后點擊完成。如下圖3-20所示。</p><p><b>　　3-20</b></p><p>　　15、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面FRONT作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式. </p>

38、<p><b>　　3-21</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-21所示草繪剖面圖，點擊，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為20，然后點擊完成。如圖3-22：3-22</p><p>　　16、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取

39、基準(zhǔn)平面FRONT作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式. </p><p><b>　　3-23</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-23所示草繪剖面圖，點擊，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為0.3，然后點擊完成。如圖3-24：3-24</p><p>　　17、單擊“草繪“按鈕

40、，選擇基準(zhǔn)平面FRONT作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　3-25</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-25所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。</p><p>　　18、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義

41、”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面FRONT作為草繪平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式.</p><p><b>　　3-26</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-23所示草繪剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為3，然后點擊完成。如圖3-27</p><p><b>　

42、　3-27</b></p><p><b>　　整體效果圖如下：</b></p><p><b>　　2.2繪制手機后殼</b></p><p>　　1、點擊基準(zhǔn)平面工具按鈕，出現(xiàn)基準(zhǔn)平面窗口，選擇DTM1，偏距平移7，方向向下。</p><p>　　2、單擊“草繪“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面A

43、DTN2作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　3-28</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-25所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。得到如下效果圖：</p><p>　　3、點擊基準(zhǔn)平面工具按鈕，出現(xiàn)基準(zhǔn)平面窗口，選擇ADTN2，偏距平移20，方向向

44、下。</p><p>　　4、單擊“草繪“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面ADTN3作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　3-29</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-26所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。得到如下效果圖：</p><p>

45、;　　5、點擊基準(zhǔn)平面工具按鈕，出現(xiàn)基準(zhǔn)平面窗口，選擇ADTN3，偏距平移18，方向向下。</p><p>　　6、單擊“草繪“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面ADTN4作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　3-30</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-26所示，完成后在右工具箱中

46、單擊完成按鈕退出二維草繪模式。得到如下效果圖：</p><p>　　7、單擊“邊界混合”按鈕，選取圖3-31中的三條曲線，最后創(chuàng)建的邊界曲面如下圖所示：3-31</p><p>　　點擊完成得到效果圖：</p><p>　　8、點擊基準(zhǔn)平面工具按鈕，出現(xiàn)基準(zhǔn)平面窗口，選擇ADTN4，偏距平移10，方向向下。</p><p>　　9、單擊“草繪

47、“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面ADTN5作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。3-32</p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-32所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。得到如下效果圖：</p><p>　　10、點擊基準(zhǔn)平面工具按鈕，出現(xiàn)基準(zhǔn)平面窗口，選擇ADTN5，偏距平移25，方向向下。</p><p>　　11、單擊

48、“草繪“按鈕，選擇基準(zhǔn)平面ADTN5作為草繪平面，接受系統(tǒng)缺省參照設(shè)置后單擊“草繪”按鈕進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　3-33</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖3-23所示，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。得到如下效果圖：</p><p>　　12、選取下圖中的曲面部分，點擊“編輯”菜單中的偏移

49、，出現(xiàn)設(shè)計圖標(biāo)板，方向向內(nèi)，偏移距離0.1。</p><p><b>　　之后得到效果圖為：</b></p><p>　　13、點擊，出現(xiàn)設(shè)計圖標(biāo)板，選取曲面，點擊，選擇該曲面，完成后得到下圖：</p><p>　　14、單擊“邊界混合”按鈕，選取圖3-31中的三條曲線，最后創(chuàng)建的邊界曲面如下圖：3-34</p><p>

50、;<b>　　最終得到效果圖：</b></p><p>　　15、點擊，出現(xiàn)設(shè)計圖標(biāo)板，按住CTRL選取兩個曲面，如下圖3-35所示，點擊完成后效果圖如3-36所示。</p><p><b>　　3-35</b></p><p><b>　　3-36</b></p><p>　

51、　16、選取編輯菜單中的“加厚”選項，出現(xiàn)設(shè)計圖標(biāo)板，方向向外，加厚值0.75，如下圖3-37所示，點擊完成后效果圖如3-38所示。</p><p><b>　　3-37</b></p><p><b>　　3-38</b></p><p><b>　　3.繪制手機鍵盤</b></p>

52、<p><b>　　3.1繪制手機鍵盤</b></p><p>　　1、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面RIGHT，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　4-01</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖4-

53、01剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為1，方向向內(nèi)，完成后如圖4-02所示：</p><p><b>　　4-02</b></p><p>　　2單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面RIGHT，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p>

54、<p><b>　　4-03</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖4-03面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為1，方向向內(nèi)，完成后如圖4-04示：</p><p><b>　　4-04</b></p><p>　　3、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊

55、“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面RIGHT，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　4-05</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖4-05圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為1，方向向內(nèi)，完成后如圖4-06：</p><p>

56、<b>　　4-06</b></p><p>　　4、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面RIGHT，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　4-07</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖4-07，完成后在右工具箱中單擊

57、完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為1，方向向內(nèi)，完成后如圖4-08</p><p><b>　　4-08</b></p><p>　　5、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面RIGHT，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>

58、　　4-09</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖4-09，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為1，方向向內(nèi)，完成后如圖4-10：</p><p><b>　　4-10</b></p><p>　　6、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按

59、鈕打開【草繪】對話框，選取基準(zhǔn)平面RIGHT，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。</p><p><b>　　4-11</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖4-01剖面圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。點擊去除材料，在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為1，方向向內(nèi)，完成后如圖4-12：</p><p><b>　　4-

60、12</b></p><p>　　7、點擊倒圓角按鈕，選取鍵盤所有面，半徑倒圓角值為0.1，點擊完成，得到如圖4-13所示：</p><p><b>　　4-13</b></p><p><b>　　8、效果圖：</b></p><p>　　9、單擊“拉伸“按鈕打開設(shè)計標(biāo)板，單擊“放置”

61、按鈕彈出草繪參數(shù)面板，單擊“定義”按鈕打開【草繪】對話框，選取下圖中橙色部分為基準(zhǔn)平面，隨后進(jìn)入進(jìn)入二維草繪模式。 </p><p><b>　　4-14</b></p><p>　　在草繪平面內(nèi)繪制如圖4-14圖，完成后在右工具箱中單擊完成按鈕退出二維草繪模式。在拉伸設(shè)計圖標(biāo)板輸入拉伸長度為0.5方向內(nèi)，完成后如圖4-15：</p><p>

62、<b>　　手機裝配圖：</b></p><p><b>　　結(jié)　　論</b></p><p>　　此次畢業(yè)設(shè)計的產(chǎn)品設(shè)計是在Pro/E環(huán)境下實現(xiàn)的，由于我們知識有限，實際經(jīng)驗不足，因此我的設(shè)計還存在一些不足之處。通過本次畢業(yè)設(shè)計，不僅對大學(xué)三年所學(xué)知識的回顧和總結(jié)，而且使我學(xué)到了很多知識也有很多感受，從開始對Pro/E只有一個初步的了解，到可以

63、根據(jù)一個實物獨立完成一個產(chǎn)品的設(shè)計。也讓我對產(chǎn)品及模具的設(shè)計有了更深一步的理解，為今后的工作奠定了一定的基礎(chǔ)。</p><p>　　這次做論文的經(jīng)歷也會使我終身受益，我感覺到做論文是要真真正正用心去做的一件事情，是真正的自己學(xué)習(xí)的過程和研究的過程，沒有學(xué)習(xí)就不可能有研究的能力，沒有自己的研究，就不會有所突破，那也就不叫論文了。希望這次的經(jīng)歷能讓我在以后激勵我繼續(xù)進(jìn)步。</p><p>&l

64、t;b>　　參 考 文 獻(xiàn)</b></p><p>　　姚詩斌著. 數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)基礎(chǔ). 計算機工程與應(yīng)用，1981年第8期.</p><p>　　[2] Robertson T，Perkins A. Physical and Mathematical Modeling of Liquid Steel Temperature in Continuous Casting，Iro

65、nmaking and Steelmaking，1986，13（6）：301～310.</p><p>　?。?）連續(xù)出版物中析出的文獻(xiàn)：</p><p>　　例：[1] 亞洲地質(zhì)圖編圖組. 亞洲地層與地質(zhì)歷史概述，地質(zhì)學(xué)報，1978，3：194~208.</p><p>　　[2] 趙均宇. 略論辛亥革命前后的章太炎，光明日報，1977．3．24（4）</p

66、><p>　　[3] Herbert A, Jmson C, Norton G K, etc. Experience with Powder and Wire Injection at British Steel Corporation, Lackenby Works, Basic Oxygen Steelmaking Plant, Ironmaking and Steelmaking, 1987，14（1）：1

67、0～16.</p><p><b>　　（2）專著：</b></p><p>　　例：[4] 熊光愣，肖田元，張燕云編著. 連續(xù)系統(tǒng)仿真與離散事件系統(tǒng)仿真. 北京：清華大學(xué)出版社，1991.</p><p>　　[5] 中國科學(xué)學(xué)院南京土壤研究所西沙群島考察組. 我國西沙群島的土壤和鳥糞礦. 北京：科學(xué)出版社，1977．</p>

68、<p>　　[6] Borko H, Bernier C L. Indexing concepts and methods, New York：Academic Pr., 1978.</p><p>　　[7] International Federation of Library Association and Institutions. Names of persons：national usage

69、s for entry in catalogues. 3rd ed . London：IFLA International Office for UBC, 1977.</p><p><b>　　（3）學(xué)位論文：</b></p><p>　　例：[8] 李頂宜. 鋼包熱循環(huán)過程傳熱物理數(shù)學(xué)模型的研究及應(yīng)用研究：學(xué)位論文. 北京：清華大學(xué)熱能系，1994.</p&

70、gt;<p>　　[9] Cairns R B. Infared spectroscopic studies on solid oxygen：［Dissertation］. Berkeley：Univ. of California, 1965.</p><p>　?。?）專著中析出的文獻(xiàn)：</p><p>　　例：[10] 傅承義，陳運泰，祁貴中. 地球物理學(xué)基礎(chǔ). 北京：

71、科學(xué)出版社，1985. 447</p><p>　　[11] 黃蘊慧. 國際礦物學(xué)研究的動向. 見：程裕淇等編. 世界地質(zhì)科技發(fā)展動向，北京：地質(zhì)出版社，1982. 38~39</p><p>　　[12] Buseck P R, Nord G L, Veblen D R. Subsolidus phenomena in pyroxenes. In：Prewitt C T，ed．Rev

72、iews in mineralogy, pyroxenes v.7.［s.l.］：Mineralogical Society of America , 1980. 117~211</p><p><b>　?。?）會議文獻(xiàn)：</b></p><p>　　例：[13] Rosenthall E M，ed．Proceedings of the fifth Canadian

73、，Mathematical Congress, Univ. of Montreal, 1961. Toronto：Univ . of Toronto Pr. ,1963.</p><p>　　[14] 吳曉東，劉青，徐安軍等. 煉鋼廠過程溫度－時間優(yōu)化控制模型的建立，第八屆全國冶金反應(yīng)工程學(xué)術(shù)會議論文集，全國冶金反應(yīng)工程學(xué)術(shù)委員會， 2000. 北京：北京科技大學(xué)，2000.</p><p&g

74、t;<b>　?。?）報告：</b></p><p>　　例：[15] World Health Organization . Factors regulating the immune response：report of WHO Scientific Group. Geneva : WHO,1970.</p><p>　　[16] 連鑄技術(shù)國家工程研究中心，首都鋼

75、鐵公司. 首鋼第三煉鋼廠高效連鑄技術(shù)攻關(guān)報告：連鑄技術(shù)國家工程研究中心，首都鋼鐵公司. 北京：首都鋼鐵公司，1998.</p><p>　　[17] Le Maitre R.W. Numercal petrology：statistical interpretation of geochemical data . Amsterdam：Elsevier, 1982. 210</p><p>

76、<b>　　附 錄</b></p><p>　　Pro/E提供了一個三維與二維溝通的橋梁----工程圖模塊，用戶只需要建立三維的實體零件，以此零件為模型，在工程圖模塊中就自動生成二維平面圖。由于Pro/E系統(tǒng)采用單一數(shù)據(jù)庫管理，因此工程圖與對應(yīng)的實體模型是相互關(guān)聯(lián)的，如果在工程圖中修改了尺寸，那么這些修改會在對應(yīng)的零件模型中體現(xiàn)出來；相反的，如果對零件模型進(jìn)行了修改，那么對應(yīng)的工程圖也會做同

77、樣的修改（同樣工程圖中的各個視圖的尺寸也使相關(guān)聯(lián)的）。</p><p>　　在此基礎(chǔ)上一下二維出圖思維式值得推薦；掌握設(shè)計意圖——設(shè)計三維實體——由三維生成二維；較傳統(tǒng)的二維出圖模式：掌握設(shè)計意圖——畫二維草圖，有著無與倫比的優(yōu)勢，因為首先在一個設(shè)計流程中，三維的實體和二維的平面圖都能一次完成，而傳統(tǒng)的只是為了出圖而出圖，沒有三維實體，其次即使是有著十幾年經(jīng)驗的平面繪圖員，將二維圖與實體分離繪制會出現(xiàn)這樣那樣的錯

78、誤，二維圖中許多細(xì)節(jié)部分也是非人力所能想的，修改起來也不系統(tǒng)。</p><p>　　作為Pro/E模塊的一個重要組成部分，工程圖模塊功能雖然已經(jīng)十分強大，但其中的許多標(biāo)準(zhǔn)與國際部匹配，因此這樣的工程圖是不標(biāo)準(zhǔn)的需要修改，作為二維工程圖的龍頭老大，CAD的DWG/DXF的工程圖文件仍然擁有許多的用戶。不過，很幸運的是在Pro/E中提供了相當(dāng)不錯的溝通橋梁，將Pro/E的工程圖文件（.drw）輸出為CAD可以讀取的D

79、WG/DXF文件。這樣最終的設(shè)計思路是：掌握設(shè)計意圖——在Pro/E中三維造型——在Pro/E中生成工程圖——制成標(biāo)準(zhǔn)工程圖——在CAD中修改工程圖——輸出DXF/DWG文件。</p><p><b>　　致　　謝</b></p><p>　　通過這次畢業(yè)設(shè)計，使我三年來學(xué)到的知識得到了初步的實踐，并且從中學(xué)到了很多以前并未涉及的知識。此次設(shè)計是在葉偉華老師的悉心指導(dǎo)

80、下完成的。葉偉華老師為設(shè)計課題的研究提出了許多指導(dǎo)性的意見，為論文的撰寫、修改提供了許多具體的指導(dǎo)和幫助，而且交給我們學(xué)習(xí)的方法和思路，使我在研究工作及論文寫作過程中不斷有新的知識和提高。葉偉華老師的嚴(yán)謹(jǐn)治學(xué)、不斷探索的科研作風(fēng)，敏銳深邃的學(xué)術(shù)洞察力，孜孜不倦的敬業(yè)精神，給我留下了深刻的印象，使我受益良多。導(dǎo)師一絲不茍、嚴(yán)謹(jǐn)認(rèn)真的治學(xué)態(tài)度，精益求精、誨人不倦的學(xué)者風(fēng)范，以及正直無私、磊落大度的高尚風(fēng)格，更讓我們明白許多做人的道理！更重要

81、的是葉老師在指導(dǎo)我們的論文中，始終踐行著“授人以魚，不如授之以漁”的原則。他常指導(dǎo)我們要志存高遠(yuǎn)，嚴(yán)格遵守學(xué)術(shù)道德和學(xué)術(shù)規(guī)范，為以后的繼續(xù)深造打好堅實的基礎(chǔ)。在此，請允許我向尊敬的葉偉華老師表示真摯的謝意。</p><p>　　在論文撰寫期間，得到了機電專業(yè)多位同學(xué)還有老師的幫助，在忙碌的工作之余，給予我專業(yè)知識上的指導(dǎo)，而且教給我學(xué)習(xí)的方法和思路，使我在科研工作及論文寫作過程中不斷有新的認(rèn)識和提高。在此，我對他