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文檔簡介
1、本試驗于2013-2014年山東省農(nóng)業(yè)科學(xué)院溫室和飲馬泉農(nóng)場進行。供試品種為農(nóng)大108(ND108)和魯玉16(LY16)。本實驗采用溫室水培與田間盆栽相結(jié)合的方式,分別測定不同硫處理對玉米3葉期跟開花后期的光合作用能力變化及對產(chǎn)量影響。探究施硫?qū)τ衩坠夂夏芰Φ挠绊懪c及光能利用與分配之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系,進一步從光合機理上明確硫?qū)τ衩桩a(chǎn)量的影響,探究較為適宜的施硫范圍,為今后玉米栽培提供一定理論基礎(chǔ)。
水培試驗采用霍格蘭營養(yǎng)液培養(yǎng),
2、設(shè)置4個硫濃度梯度:含硫0mmol/l的Hoagland全營養(yǎng)液(S1表示)、含硫1mmol/l的Hoagland全營養(yǎng)液(S2表示)、含硫2mmol/l的Hoagland全營養(yǎng)液(對照S3表示)和含硫4mmol/l的Hoagland全營養(yǎng)液(S4表示)。大田盆栽試驗設(shè)置4個硫濃度梯度:純硫0kg/畝(S1)、2kg/畝(S2)、4kg/畝(S3)、8kg/畝(S4)。主要結(jié)果如下:
玉米苗期硫處理20天后,缺硫跟過量硫處理都
3、顯著降低兩品種玉米干物重積累量;葉綠素SPAD值降低,葉片中葉綠素a、葉綠素b及類胡蘿卜素含量降低;葉片 SOD、POD、CAT抗氧化酶活性顯著降低;膜質(zhì)過氧化產(chǎn)物 MDA含量增加,可溶性蛋白與植株含硫量降低。苗期脅迫20天內(nèi)玉米葉片光合速率、氣孔導(dǎo)度和蒸騰速率都隨著脅迫程度加重而下降顯著。第20天葉片表觀量子效率、最大凈光合速率、暗呼吸速率、光補償點和光飽和點隨著硫脅迫程度的提高而顯著下降。通過葉綠素?zé)晒鈩恿W(xué)定可知,苗期硫脅迫下降低
4、了光系統(tǒng)Ⅱ的Fm、Fv/Fm、qP、ETR和ΦPSII,升高了Fo和NPQ,過剩光能對光系統(tǒng)Ⅱ反應(yīng)中心造成部分失活或者可逆損傷,降低了光能利用效率,光抑制程度加劇,且損傷程度隨著硫脅迫加重而增大。
大田盆栽試驗表明在0~4kg/畝施硫范圍內(nèi),隨著施硫量的升高對玉米產(chǎn)量、花后時期干物重積累量、葉綠素含量 SPAD值和可溶性蛋白含量有顯著提高作用;保證玉米花后時期維持較高凈光合速率、氣孔導(dǎo)度和蒸騰速率,維持在強光脅迫下較高的光合能
5、力。提高玉米開花期表觀量子效率、最大凈光合速率與光飽和點。對葉片含硫量有顯著促進作用。通過葉綠素?zé)晒鈪?shù)可知在0~4kg/畝施硫范圍內(nèi),隨著施硫量升高可以提高玉米花后 Fm、Fv/Fm、qP、ETR和ΦPSII,減少NPQ與Fo,增強花后玉米光系統(tǒng)Ⅱ反應(yīng)中心光合利用率與開放程度,減少因過剩光能而提高的熱耗散能力。保持花后較高抗氧化酶SOD、CAT和POD活力,降低花后MDA積累速率,加強活性氧清除能力減少對葉片膜質(zhì)過氧化程度損害,保證在
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