21861.低維硒化鎘納米材料物理性能預測

1、學校代碼：10270分類號：O496學號：122200728碩士學位論文低維硒化鎘納米材料物理性能預測學院：數(shù)理學院專業(yè)：凝聚態(tài)物理研究方向：計算凝聚態(tài)物理研究生姓名：俞國龍指導教師：葉翔副研究員完成日期：2015年3月上海師范大學碩士學位論文摘要I論文題目論文題目：低維硒化鎘納米材料性能預測學科專業(yè)：學科專業(yè)：凝聚態(tài)物理學位申請人：學位申請人：俞國龍導師：導師：葉翔副研究員摘要摘要自石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來，由于其獨特的幾何結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理的

2、性能，越來越受科研界的關(guān)注。本征結(jié)構(gòu)的石墨烯帶隙為零，科學家用物理方法施加應(yīng)變使其能隙打開，或者通過化學方法摻雜其它原子來得到有帶隙的石墨烯。還有通過改變石墨烯的維度，將兩維的石墨烯剪切成一維的石墨帶，來調(diào)節(jié)其電子結(jié)構(gòu)，磁學和光學性質(zhì)。由于二維納米結(jié)構(gòu)的獨特性及石墨烯零帶隙的問題，尋找及研究類似石墨烯的具有非零帶隙的二維結(jié)構(gòu)是現(xiàn)如今非常熱門的一個研究課題。通過近幾年科學家的不斷努力，類石墨烯的二維及一維體系不斷的被發(fā)現(xiàn)。其中包括過金渡屬

3、氧化物，IIVI族化合物，IIIV族化合物等。CdSe作為IIVI族中一種重要的直接躍遷、較寬禁帶的半導體材料，具有獨特的物理和化學性能，并已成功應(yīng)用于光放大器、太陽能電池、光電器件、生物熒光標記等。在過去幾十年科研界致力尋找的二維結(jié)構(gòu)的硒化鎘納米片已經(jīng)在實驗上通過溶膠的方法制備出1.4nm厚度。雖然實驗已經(jīng)制備出一定厚度CdSe納米片，但是對單層二維及一維CdSe納米片納米帶的電子結(jié)構(gòu)、光學和磁學性質(zhì)的研究還比較少。本論文的主要研究內(nèi)