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1、長春理工大學(xué)碩士學(xué)位論文高應(yīng)變1.3μmGaInNAs量子阱脊型波導(dǎo)半導(dǎo)體激光器的研究姓名:石巍申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師:張希艷曲軼20080401ABSTRACTTheopticalgainoutputwavelengthandtemperaturesensitivityofGalnNAsstainquantumwellwafersweredescribedinthisthesisWhatcausedthesec
2、haracteristicswereanalyzedintheory111eNradicalsincorporatedintotheactivelayerwouldleadtounusualbowingparametersandthecausationofthissituationWaSexplained,MaterialofGaInNAsstainquantum—welllasergTonbymolecularbeamepitaxy(
3、MBE)RidgewaveguideGalnNAsstainsingle—quantum—wellIasersweredesignedandfabricatedwithpulsedanodicoxidation(PA01MoreoverintroducedandresearchonitsproductionprocesssystemThetestofthelasershowed:outputpowerreached14rowinCWmo
4、deatroomternperaturefromthelasfrswithawavelengthof13lumThethresholdcurrentWas18mAanditsdensityWaS360A/cm。Thecharacteristictemperatureoflaserswas1351Kandthequantumefficiencyreachedto76%A11thesedatahadshowntheexcellentchar
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