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文檔簡介
1、本文首先對脊型半導體激光器的發(fā)展和應用進行了綜述，其次對脊型半導體激光器的發(fā)光原理、材料、結(jié)構(gòu)進行了理論分析，進而對脊型半導體激光器進行了優(yōu)化設(shè)計。在對光刻原理進行研究分析的基礎(chǔ)上，分別采用了干法和濕法腐蝕工藝，對腔長為1000μm、條寬為10μm的激光器芯片進行腐蝕。實驗發(fā)現(xiàn)：干法腐蝕的芯片垂直性好，但表面粗糙；濕法腐蝕的芯片表面光滑，但垂直性不好。
我們對設(shè)計并制作的脊型半導體激光器進行了數(shù)據(jù)測試，得到的結(jié)果如下：干法腐蝕
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