半導(dǎo)體功率器件的高壓終端結(jié)設(shè)計(jì)

1、論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果論文中除了特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，不包含其他人或其它機(jī)構(gòu)已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果。其他同志對(duì)本研究的啟發(fā)和所做的貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的聲明并表示Jn。作者簽名：趁至遍日期：蟄：盤(pán)壘L論文使用授權(quán)聲明本人完全了解復(fù)旦大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即t學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許論文被查閱和借閱：學(xué)?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨?nèi)容，可以采用影印、縮印或其

2、它復(fù)制手襲保存論文。保密的論文在解密后遵守此規(guī)定。作者簽名t導(dǎo)師簽名：髂蝣日期：蘭!i：受：L萬(wàn)方數(shù)據(jù)目錄34TCAD模擬結(jié)果分析21341突變平面結(jié)的擊穿電壓21342擴(kuò)散結(jié)的擊穿電壓23333加場(chǎng)板的終端結(jié)構(gòu)2534小結(jié)30第四章超結(jié)MOSFET的高壓終端結(jié)設(shè)計(jì)3141超結(jié)MOSFET的終端結(jié)3l42復(fù)合場(chǎng)限環(huán)(MFLRS)終端結(jié)一3143DOT終端結(jié)設(shè)計(jì)及TCAD仿真結(jié)果一32431DOT結(jié)構(gòu)的運(yùn)用33432DOT結(jié)構(gòu)中的保護(hù)環(huán)設(shè)