半導體功率器件的高壓終端結設計_第1頁
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文檔簡介

1、論文獨創(chuàng)性聲明本論文是我個人在導師指導下進行的研究工作及取得的研究成果論文中除了特別加以標注和致謝的地方外，不包含其他人或其它機構已經發(fā)表或撰寫過的研究成果。其他同志對本研究的啟發(fā)和所做的貢獻均已在論文中作了明確的聲明并表示Jn。作者簽名：趁至遍日期：蟄：盤壘L論文使用授權聲明本人完全了解復旦大學有關保留、使用學位論文的規(guī)定，即t學校有權保留送交論文的復印件，允許論文被查閱和借閱：學?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨热?，可以采用影印、縮印或其

2、它復制手襲保存論文。保密的論文在解密后遵守此規(guī)定。作者簽名t導師簽名：髂蝣日期：蘭!i：受：L萬方數(shù)據(jù)目錄34TCAD模擬結果分析21341突變平面結的擊穿電壓21342擴散結的擊穿電壓23333加場板的終端結構2534小結30第四章超結MOSFET的高壓終端結設計3141超結MOSFET的終端結3l42復合場限環(huán)(MFLRS)終端結一3143DOT終端結設計及TCAD仿真結果一32431DOT結構的運用33432DOT結構中的保護環(huán)設

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