CZT探測(cè)器電極制備工藝的研究.pdf

1、本文對(duì)CZT探測(cè)器電極制備工藝進(jìn)行了研究。主要內(nèi)容如下： 1、采用I-V特性測(cè)試、超聲波掃描(SAM)和電極粘附力測(cè)試了不同電極沉積工藝對(duì)于Au與p-CTT之間接觸的影響。研究結(jié)果表明，濺射沉積的Au電極附著力大，但會(huì)對(duì)CZT表面造成一定的損傷，濺射Au電極與CZT不能很好地形成歐姆接觸。化學(xué)沉積的Au電極可以與CZT形成比較好的歐姆接觸，其與CZT表面附著力大，但是沉積工藝不易控制，電極不是很均勻。真空蒸發(fā)沉積的Au電極可以與

2、CZT形成比較好的歐姆接觸，且工藝容易控制，電極層比較均勻，只是其與CTT之間的附著力比較低。但可以考慮通過(guò)增加沉積電極后的退火工藝來(lái)改善這一缺點(diǎn)。 2、研究了熱處理?xiàng)l件對(duì)于真空蒸發(fā)工藝制備的金屬電極與CZT接觸特性的影響。通過(guò)在不同溫度、不同時(shí)間和不同氣氛下對(duì)CZT接觸電極的熱處理研究，找到了理想的熱處理工藝條件。結(jié)果表明，Au與p型CdZnTe在100℃的空氣氣氛中退火中2個(gè)小時(shí)，歐姆接觸系數(shù)提高到0.92，電極與CZT之間

3、的附著力提高了27％。A1與n型CdZnTe在100℃的空氣氣氛中退火中2個(gè)小時(shí)也可以提高附著力。但是電極內(nèi)部均勻性在退火后會(huì)有所下降。 3、制備了兩種CZT肖特基探測(cè)器(Al/n-CZT/Au和In/n-CZT/Au)和一種光電導(dǎo)型探測(cè)器(Al/n-CZT/Al)。采用I-V特性測(cè)試的數(shù)據(jù)計(jì)算得出：Au在兩個(gè)肖特基器件中和n-CZT的接觸勢(shì)壘分別為0.904eV和0.956eV。通過(guò)能譜測(cè)試研究了光電導(dǎo)型和肖特基型兩種CZT探