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文檔簡介
1、CdZnTe(CZT)核輻射探測器具有較高的探測效率和較好的能量分辨率,廣泛應(yīng)用于x、γ射線探測和成像裝置,在國家安全防務(wù)、核探測、核控制、天體物理以及醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景.探測器的性能關(guān)鍵取決于探測器的制備工藝,為此本論文針對CZT核輻射探測器制備的關(guān)鍵工藝進行了研究,分析了CZT探測器的表面腐蝕、表面鈍化、電極接觸等一系列器件工藝條件,并對CZT共面柵探測器電極進行了優(yōu)化設(shè)計.主要研究內(nèi)容與結(jié)果如下:1、采用溴甲醇(BM)和
2、溴乳酸乙二醇溶液(LB)對CZT晶體進行了表面腐蝕研究.AES俄歇電子能譜分析表明,腐蝕液中Br的加入會使得CZT樣品表面富Te,從熱力學(xué)角度對腐蝕機理進行了探討.2、采用KOH-KCl溶液、H<,2>O<,2>溶液和NH<,4>F/H<,2>O<,2>混合溶液等三種濕法化學(xué)鈍化工藝對CZT器件表面鈍化進行了研究.3、首次提出了采用RFCVD法在CZT器件表面沉積類金剛石(DLC)薄膜進行物理鈍化的研究思想.4、對CZT探測器的電極接觸
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