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文檔簡介
1、1.用磁控濺射系統(tǒng),共濺射Si和SiO<,2>再退火來制備納米硅晶體。拉曼(Raman)光譜和透射電子顯微鏡(TEM)照片證實(shí)了納米硅晶體的存在。又研究了不同條件下制備的納米硅晶體的光致發(fā)光(PL)譜。研究表明不同Si和SiO<,2>的組分比和不同的退火條件對(duì)納米硅的光致發(fā)光有很大的影響。 2.對(duì)雙層納米硅晶體的樣品,進(jìn)行電容-電壓(C-V)測(cè)試。結(jié)果表明,一個(gè)來回的掃描曲線,存在電滯回線現(xiàn)象。不同的掃描電壓和掃描頻率下,回滯現(xiàn)
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