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文檔簡介
1、本文分別研究了三種具有光電應(yīng)用前景的材料：氮化硼(BN)納米棒，納米硅絲和氮化碳(CN_x)薄膜在硅基襯底上的生長及性質(zhì)。首先，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)法在單晶硅片上生長了氮化硼(BN)材料。掃描電子顯微(ScanningElectronMicroscopy,SEM)圖像、X射線能量色散譜(EnergyDispersivex-raySpectr
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