SLM法制作烤瓷冠內(nèi)部和邊緣適合性的實驗研究.pdf

1、目的：
　　 比較選擇性激光熔化技術(shù)(SLM)制作的EOS基底冠、烤瓷冠與常規(guī)鑄造基底冠、烤瓷冠的內(nèi)部和邊緣適合性的差異,評價烤瓷工藝對適合性的影響,為EOS烤瓷冠的臨床應(yīng)用提供參考。
　　 方法；
　　 制備標準不銹鋼錐體(實驗用模擬基牙預(yù)備體),翻制24個石膏代型,采用隨機法分成4組,每組6個。4組分別是A組:EOS基底冠,B組:EOS烤瓷冠,C組:鑄造基底冠,D組:鑄造烤瓷冠。采用SLM法在不銹鋼代型上制作

2、6個EOS基底冠,6個EOS烤瓷冠,采用常規(guī)鑄造法制作6個鑄造基底冠,6個鑄造烤瓷冠。利用輕體硅橡膠將上述24個冠和石膏代型粘固,樹脂包埋,縱向剖開后,置于體式顯微鏡下,在5個測量位點應(yīng)用圖像分析軟件測量其邊緣(AMD,MG)及內(nèi)部(CA,AW,OA)表面與石膏代型表面的厚度,統(tǒng)計學(xué)分析。
　　 結(jié)果;
　　 EOS基底冠、EOS烤瓷冠、鑄造基底冠、鑄造烤瓷冠的AMD分別為:80.56±12.18μm,74.12±15.

3、23μm,92.70±13.71μm,93.85±9.12μm。MG分別為:73.71±9.77μm,66.93±13.75μm,83.43±15.27μm,83.37±8.92μm。CA分別為:154.69±13.16μm,150.31±9.78μm,161.63±18.99μm,159.93±12.05μm。AW分別為:35.35±3.95μm,35.96±4.21μm,49.83±3.55μm,50.97±7.50μm。OA分別為

4、197.49±9.94μm,208.91±12.04μm,239.97±17.99μm,191.09±8.62μm。各組牙冠邊緣適合性均在臨床可接受范圍內(nèi)。但EOS烤瓷冠較鑄造烤瓷冠,EOS基底冠較鑄造基底冠在邊緣和內(nèi)部軸壁適合性方面更好,且有顯著性差異。EOS和鑄造烤瓷冠與基底冠的各組數(shù)據(jù)間無明顯差異性。
　　 結(jié)論：
　　 (1)應(yīng)用SLM技術(shù)制作的EOS基底冠和烤瓷冠的適合性優(yōu)于常規(guī)鑄造基底冠和烤瓷冠,能夠滿足臨床