PMOSFET’s中的NBTI效應(yīng)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、NBTI效應(yīng)已經(jīng)成為限制器件可靠性的重要因素，在器件尺寸縮小到超深亞微米及納米尺度后，NBTI效應(yīng)造成的影響日益嚴重。已經(jīng)超越HCI效應(yīng)成為CMOS電路退化乃至失效的重要因素。所以很有必要對NBTI效應(yīng)進行深入研究。本文對PMOSFET's中的NBTI效應(yīng)的退化現(xiàn)象及退化機理進行了深入的研究。 首先研究了PMOS器件的I-V特性和主要靜態(tài)參數(shù)在一次NBT應(yīng)力、PBT應(yīng)力及二次NBT應(yīng)力作用下的退化、恢復及再次退化現(xiàn)象。

2、重點研究了NBTI效應(yīng)的退化機理，研究表明反型溝道中空穴在柵氧中的俘獲以及氫分子在柵氧中的擴散是引起NBTI退化的主要原因。當應(yīng)力條件變?yōu)镻BT時，陷落的空穴可以快速退陷，但只有部分氫分子可以擴散回柵氧與襯底界面鈍化硅懸掛鍵，這就導致了PBT條件下閾值電壓只能部分恢復。 對HCI/NBTI耦合效應(yīng)也進行了研究，表明HCI/NBTI耦合效應(yīng)導致的器件退化比單一的NBTI效應(yīng)和室溫下的HCI效應(yīng)嚴重，并具有較大的退化斜率和較小的激活

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