已閱讀1頁,還剩43頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、隨著大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的進一步發(fā)展,MOS器件的集成度不斷提高,器件的尺寸不斷減小。在MOS器件的尺寸不斷減小的同時,器件的工作電壓卻沒有等比減小,這就使器件的溝道區(qū)電場大幅度提高。載流子在溝道區(qū)高電場的作用下獲得足夠的能量翻越界面勢壘注入到柵氧化層中,在界面產(chǎn)生界面態(tài)或被柵氧化層中的陷阱俘獲,界面態(tài)和氧化物電荷的增加使器件的特性發(fā)生退變?nèi)玳撾妷浩?、跨?dǎo)下降、輸出特性曲線下移等。因此,熱載流子效應(yīng)逐漸成為影響集成電路進一步發(fā)展的
2、主要因素之一。 本文著重從熱載流子在不同溫度條件下器件退化速度不同的特性及使用可靠性模型兩方面開展理論和實驗研究,主要內(nèi)容包括: (1)分析比較了N型場效應(yīng)晶體管在不同溫度和不同應(yīng)力條件下熱載流子效應(yīng)的變化。 (2)設(shè)計并建立了具有兩個緩沖器和一個觸發(fā)器連接的一個由CMOS反相器組成的23*26級環(huán)型振蕩器電路來作為器件交流情況的應(yīng)力測試,并在不同溫度和不同應(yīng)力條件下進行可靠性測試,對結(jié)果進行分析。 (3
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- NMOSFET熱載流子效應(yīng)可靠性及壽命研究.pdf
- MOSFET噪聲與熱載流子效應(yīng)研究.pdf
- MOSFET熱載流子退化效應(yīng)的研究.pdf
- NMOS器件熱載流子效應(yīng)研究.pdf
- 基于LDMOSFET熱載流子效應(yīng)的可靠性研究.pdf
- LDMOS熱載流子效應(yīng)的SPICE模型的研究與實現(xiàn).pdf
- 高壓LDMOS熱載流子效應(yīng)的可靠性建模.pdf
- 異質(zhì)柵MOS熱載流子效應(yīng)的研究.pdf
- 應(yīng)變SiGe PMOSFET制造工藝與熱載流子效應(yīng)研究.pdf
- 動態(tài)應(yīng)力下SOI-LDMOS熱載流子退化機理及壽命模型研究.pdf
- 亞微米MOS器件的熱載流子效應(yīng)研究.pdf
- 肺熱證與陽明熱證的相關(guān)性研究.pdf
- 動態(tài)應(yīng)力下SOI--LIGBT熱載流子退化機理及壽命模型研究.pdf
- 功率STI-LDMOS器件熱載流子退化機理與壽命模型研究.pdf
- 單軸應(yīng)變Si NMOS熱載流子效應(yīng)研究.pdf
- 超薄柵PMOS器件熱載流子效應(yīng)和NBTI效應(yīng)的研究.pdf
- 車刀壽命在線監(jiān)測與管理技術(shù)的研究.pdf
- 應(yīng)變硅CMOS器件的自熱效應(yīng)與熱載流子效應(yīng).pdf
- 超薄柵PMOS器件熱載流子和NBTI效應(yīng)研究.pdf
- 高壓LEDMOS器件熱載流子效應(yīng)研究及優(yōu)化設(shè)計.pdf
評論
0/150
提交評論