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1、本論文研究了Bi2O3-ZnO-Nb2O3(BZN)高頻陶瓷系統(tǒng)的制備方法、介電性能,以及TiO2添加劑對(duì)該系統(tǒng)的影響。 首先研究了BiNbO4陶瓷介質(zhì),該陶瓷的成瓷性較好,但在本實(shí)驗(yàn)條件下介電損耗較高,溫度系數(shù)負(fù)值較大,不利于實(shí)際應(yīng)用。采用Ta元素對(duì)該系統(tǒng)陶瓷B位的Nb進(jìn)行取代研究。Ta的加入使介電損耗進(jìn)一步降低,燒結(jié)溫度進(jìn)一步升高,系統(tǒng)性能提升。 系統(tǒng)地研究了Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)系統(tǒng)陶瓷不同的工藝
2、路線對(duì)其介電性能的影響。實(shí)驗(yàn)表明:當(dāng)首先合成(Nb2O5-ZnO)先驅(qū)體,再加入Bi2O3進(jìn)行煅燒及最終的燒結(jié)過程,可獲得介電性能比較理想的BZN陶瓷;而將Bi2O3、ZnO、Nb2O5三種成分同時(shí)混合煅燒再進(jìn)行最終的燒結(jié),或先合成(Bi2O3-Nb2O5)先驅(qū)體,再加入ZnO進(jìn)行煅燒及最終的燒結(jié)過程,均無法獲得介電性能理想的陶瓷材料。同時(shí),當(dāng)先驅(qū)體(Nb2O5-ZnO)的煅燒溫度為860℃、煅燒時(shí)間為2h時(shí)材料的介電性能最佳。在進(jìn)行最
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