CoP-Insulator-BeCu復(fù)合結(jié)構(gòu)絲的制備及其巨磁阻抗效應(yīng)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本文采用化學(xué)鍍工藝制備了常規(guī)型和LC共振型兩種CoP/Insulator/BeCu巨磁阻抗復(fù)合結(jié)構(gòu)絲，利用鍍速測(cè)量、阻抗分析法、復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率、簡(jiǎn)化等效電路模型等研究了工藝條件、幾何結(jié)構(gòu)、后處理工藝對(duì)材料的GMI數(shù)值、GMI特性和GMI磁場(chǎng)靈敏度的影響，主要內(nèi)容和結(jié)果如下: 1.絕緣層上化學(xué)鍍CoP的最佳鍍液配方為還原劑和主鹽的摩爾比I=x(H2PO2-):x(Co2+)=8.0，x(復(fù)合絡(luò)合劑)=0.5 mol/L，x(NH4)2

2、SO4)=0.25mol/L，pH=9.0，水浴溫度90℃，施鍍時(shí)間3 h。 2.常規(guī)型CoP/Insulator/BeCu復(fù)合結(jié)構(gòu)絲經(jīng)二次焦耳熱處理，GMI和磁場(chǎng)靈敏度分別從制備態(tài)的179％和0.56％/A·m-1提高到991％和2.78％/A·m-1，二次焦耳熱處理工藝是顯著提高GMI數(shù)值、GMI的頻率應(yīng)用范圍和磁場(chǎng)靈敏度的有效方法。 3.LC共振型復(fù)合結(jié)構(gòu)絲在共振點(diǎn)頻率的GMI和磁場(chǎng)靈敏度為487.5％和0.46％

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