鈦酸鋇-聚酰亞胺納米復(fù)合薄膜的制備與性能研究.pdf

1、陶瓷/聚合物復(fù)合材料結(jié)合了陶瓷材料和聚合物材料的優(yōu)點(diǎn)，是一種很有發(fā)展前景的電子材料。通過制備工藝的優(yōu)化，有望得到機(jī)械性能優(yōu)良、成型工藝簡單的高介電復(fù)合材料。 本文以具有優(yōu)良熱性能的聚酰亞胺(PI)為基體，將PI與鈦酸鋇(BT)陶瓷粉進(jìn)行復(fù)合，制備了高溫度穩(wěn)定性的鈦酸鋇/聚酰亞胺(BT/PI)納米復(fù)合薄膜，并對(duì)該復(fù)合薄膜的性能進(jìn)行了詳細(xì)地表征。主要工作如下： (1)不采用任何的偶聯(lián)劑或分散劑，分別用溶液混合法和原位聚合法制

2、備BT/PI納米復(fù)合薄膜，并對(duì)比兩種制備工藝對(duì)復(fù)合薄膜的介電性能的影響。 (2)研究了原位聚合法制備的BT/PI納米復(fù)合薄膜的微觀結(jié)構(gòu)，分析了核殼結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的原因，探討了這種核殼結(jié)構(gòu)對(duì)復(fù)合薄膜的介電常數(shù)和擊穿強(qiáng)度的影響。 (3)研究了原位聚合法制備的BT/PI納米復(fù)合薄膜的介電性能的頻率依賴性以及介電性能和陶瓷含量的關(guān)系，并用線性模型模擬了BT/PI納米復(fù)合薄膜的介電性能和陶瓷含量的關(guān)系。 (4)研究了原位聚合法制