工作在1V電源電壓下的CMOS電壓基準(zhǔn)的研究與設(shè)計(jì).pdf

1、基準(zhǔn)是集成電路中一個(gè)重要的單元模塊，其廣泛應(yīng)用于各種模擬集成電路、數(shù)?；旌闲盘柤呻娐泛推舷到y(tǒng)芯片中。隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)的進(jìn)步，芯片的工作電壓在不斷下降，當(dāng)電源電壓下降到1 V 或更低時(shí)傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電路將不再通用，因此對低電源電壓CMOS基準(zhǔn)進(jìn)行研究與設(shè)計(jì)具有現(xiàn)實(shí)意義。 本論文的研究工作主要包括三個(gè)方面內(nèi)容，即低電源電壓基準(zhǔn)理想精度的研究、一階溫度補(bǔ)償?shù)蛪夯鶞?zhǔn)的設(shè)計(jì)和高階溫度補(bǔ)償?shù)蛪夯鶞?zhǔn)的設(shè)計(jì)。

2、 低電源電壓基準(zhǔn)理想精度的研究，首先從低電源電壓基準(zhǔn)生成原理入手，在理想化情況下建立數(shù)學(xué)模型，然后導(dǎo)入目標(biāo)工藝中雙極型晶體管的具體參數(shù)，利用MATLAB 進(jìn)行仿真，得出在目標(biāo)工藝下使用一階溫度補(bǔ)償?shù)牡碗娫措妷夯鶞?zhǔn)能夠達(dá)到的理想化最高精度，并將其作為下文具體電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)依據(jù)。 一階溫度補(bǔ)償?shù)蛪夯鶞?zhǔn)的設(shè)計(jì)，首先設(shè)計(jì)是基于UMC 0.18 μm 標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行的，設(shè)計(jì)時(shí)將能夠?qū)﹄娐肪仍斐捎绊懙恼`差源模塊化，然后針對這些誤