低壓低功耗CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì).pdf

1、在模/數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)/模轉(zhuǎn)換器、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、Flash存儲(chǔ)器等集成電路設(shè)計(jì)中，低溫度系數(shù)、低壓低功耗、高電源抑制比的基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)是十分關(guān)鍵的。隨著深亞微米集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路的電源電壓越來越低，研究基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的低壓低功耗基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)是十分必要的。 由于帶隙基準(zhǔn)源能夠?qū)崿F(xiàn)高電源抑制比和低溫度系數(shù)，是目前各種基準(zhǔn)電壓源電路中性能最佳的基準(zhǔn)源電路。因此本文主要工作是設(shè)計(jì)一個(gè)低壓低功耗的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源。本文首先研

2、究了傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)源電路的結(jié)構(gòu)，并對(duì)一階溫度補(bǔ)償和二階溫度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)原理進(jìn)行了分析和比較。然后進(jìn)一步研究了幾種低壓帶隙基準(zhǔn)電壓源電路的主要工作原理。 在對(duì)各種低壓帶隙基準(zhǔn)源分析比較的基礎(chǔ)上，本文采用二階溫度補(bǔ)償和電流反饋技術(shù)，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電阻分壓技術(shù)的超低壓CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源。采用襯底驅(qū)動(dòng)超低壓運(yùn)算放大器作為基準(zhǔn)源的負(fù)反饋，使其輸出用于產(chǎn)生自身的電流源偏置，其電源抑制比（PSRR）為-63．8dB?；赥SM