LED外延芯片與器件的微分析技術(shù)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、半導(dǎo)體發(fā)光二極管具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)、尺寸小等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是取代傳統(tǒng)光源的下一代照明技術(shù)。然而在半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化的過(guò)程中，必須突破出光效率、工作功率、成本和可靠性等瓶頸，需要在材料、外延生長(zhǎng)、器件封裝等方面加大研究和分析的力度。 本文研究InGaAlP外延芯片、5ram封裝發(fā)光二極管器件及大功率白光發(fā)光二極管器件，運(yùn)用光學(xué)顯微鏡、原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡、X射線色散譜、二次離子質(zhì)譜、視頻顯微鏡、測(cè)量顯微鏡等微分析技術(shù)，對(duì)外

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