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1、華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文SnS薄膜的制備及其等離子體表面改性研究姓名:陳楓申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):脈沖功率與等離子體指導(dǎo)教師:劉明海20070609華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文IIAbstractAlongwiththeresearchdevelopmentofthesolarcellmemephotoelectricitytransfmationmaterialhasbeentakenmuchattentionwh
2、ichischeaphashighefficient.AsakindofnontoxicenvironmentalprotectionphotoelectricmaterialSnShasshoweditsextensiveprospectoftheapplicationfitslatentphotoelectricityacteristic.ThevisiblelightabsptioncoefficientofSnSishigher
3、than104cm1itmatchesthesolarradiationverywell.Soitisextremelysuitabletobetakenasthelightabsptionlayersinthesolarcell.SnSthinfilmwassuccessfullypreparedbychemicalbathinthisthesistheannealprocessinginvacuumthesurfacemodific
4、ationbylowtemperatureplasmaonSnSthinfilmwereusedtoimprovethepropertiesofphotoelectricity.Themainconclusionshavebeendrawnasfollows:(1)ThesurfaceoftheSnSthinfilmspreparedbychemicalbathisquitesmoothassumingthemeshmultiplepu
5、nchingstructure;TheresultofXRDexaminationindicatesthatSnSthinfilmpreparedbythismethodisofthhombicpolycrystalstructure.(2)AlltheSnSthinfilmspreparedintheexperimenthavehighabsptioncoefficientwithintheentirevisiblelightwave
6、bscope.whenthewavelengthoftheincidentlightissmallerthan500nmαreachesto105cm1graduallyincreasesalongwiththereductionofwavelength.(3)Aftercarringannealprocessinginvacuumthecrystalgrainchangesquitefullthecrystallizationcond
7、itionbecomesbetterthediffractionpeakturnsstrongertheientationisaccdingtoqualificationmeobviousThestructureofthefilmismehomogeneousitgrowsinunifmphaseobviouslyTheabsptioncoefficientfallsslightly.(4)Thesurfacemodificationb
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