光纖器件研拋新技術研究.pdf

1、側(cè)邊拋磨光纖越來越受到人們的關注，它獨特的光學特性、低廉的成本及全光纖小型化的特點，使其成為研究和制作新型光纖器件的優(yōu)良選擇。
　　 本文綜述了國內(nèi)外側(cè)邊拋磨光纖所制成的全光纖器件的研究歷史及發(fā)展前景?；诠饫w光學的基礎波動理論給出光纖倏逝場方程。助借于二維有限差分光束傳播法，對單芯光纖及雙芯光纖側(cè)邊拋磨光傳輸特性進行了模擬。計算了側(cè)邊拋磨光纖在不同的結(jié)構(gòu)參數(shù)及聚合物折射率參數(shù)下的光功率傳輸特性，分析了光纖拋磨長度、剩余包層厚度

2、及拋磨區(qū)涂覆的聚合物折射率這三個參數(shù)對拋邊拋磨光纖的光功率傳輸特性的影響。結(jié)果表明，側(cè)邊拋磨光纖的拋磨面與纖芯的剩余厚度越小，光功率衰減越大，對涂敷材料的折射率變化的靈敏度越大；拋磨區(qū)長度越長，光功率衰減越大。對于雙芯光纖，纖芯之間的距離大于4μm時，側(cè)邊拋磨只對靠近拋磨面的纖芯有影響，對另一纖芯無影響；纖芯距離小于4μm時，側(cè)邊拋磨對兩個纖芯都有影響。
　　 本文設計了新型側(cè)邊拋磨系統(tǒng)，對單芯光纖進行了側(cè)邊拋磨。分析測量了光纖