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文檔簡介
1、由于半導(dǎo)體器件和集成電路的固有特性以及自身存在的薄弱環(huán)節(jié)和易損部位,在外界電應(yīng)力的作用下其可靠性下降,甚至完全失效。本文在研究了雙極型器件二次擊穿和安全工作區(qū)的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)分析了半導(dǎo)體器件和集成電路脈沖效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)理。研究表明,由于雙極型晶體管集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)總電流密度是由傳導(dǎo)電流密度與位移電流密度兩部分組成,而輸入脈沖信號(hào)的上升、下降沿能使位移電流密度陡增,從而導(dǎo)致雙極型器件集電結(jié)燒毀。論文對(duì)矩形波、三角波、正弦波等常見脈沖信號(hào),從能量、
2、功率和功率譜等方面進(jìn)行分析和比較,從而確定由矩形波構(gòu)成的矩形波脈沖串最易引發(fā)半導(dǎo)體器件及集成電路失效。正是這種脈沖串信號(hào)的上升沿、下降沿對(duì)器件可靠性的不良作用,本文稱之為器件失效的脈沖效應(yīng)。 在理論分析的基礎(chǔ)上,本文對(duì)A-、B3、B5、B5B四種不同型號(hào)的微波低噪聲放大器進(jìn)行了電路特點(diǎn)分析,對(duì)幾種電路的脈沖效應(yīng)薄弱環(huán)節(jié)和易損部位進(jìn)行了確定,對(duì)其中兩種微波低噪聲放大器進(jìn)行脈沖輸入實(shí)驗(yàn),并對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了比較。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在較低功率
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