深紫外光照射延緩光罩結(jié)晶生長的研究.pdf

1、本文研究了在光刻制程過程中對于光罩結(jié)晶的控制優(yōu)化問題,主要針對光罩使用過程中不可避免且很嚴重的結(jié)晶問題進行了研究和優(yōu)化,找到了解決方法并成功地實現(xiàn)了有效延緩。具體內(nèi)容如下:
　　 1.光刻工藝中光罩結(jié)晶的問題
　　 光罩的結(jié)晶缺陷在光刻制程中是一個不可避免且很嚴重的問題,結(jié)晶缺陷會影響光罩的穿透率從而造成晶片上重復(fù)性的缺陷,會使成品率大大降低。
　　 2.光罩結(jié)晶形成的原理及其負面影響
　　 產(chǎn)生結(jié)晶缺陷

2、的原理是酸根與氨根結(jié)合產(chǎn)生的鹽,通常結(jié)晶是在光罩使用2～5個月后產(chǎn)生,因為曝光機的光源對結(jié)晶的產(chǎn)生也起了催化劑的作用,尤其是光源波長越短結(jié)晶產(chǎn)生越快。這時需要清洗這塊光罩,這不僅需要花費大量的金錢(線寬比較小的光罩清洗3～5次后就會報廢,而且每清洗一塊光罩需要更換新的保護膜,又是一筆費用),同時清洗過程所花費的時間對生產(chǎn)部的生產(chǎn)也是一個不可忽略的損失。
　　 3.光罩結(jié)晶的控制
　　 基于短波長對結(jié)晶的生長起到了催化的作