2bit-cell Multilevel Flash Memory的研究與設(shè)計.pdf

1、作為發(fā)展最快的非揮發(fā)性存儲器，F(xiàn)lash存儲器有著可比擬DRAM的隨機(jī)存取速度，很高的集成度和在線編程擦除能力，在消費(fèi)類電子，通信技術(shù)等許多領(lǐng)域都得到廣泛的應(yīng)用。但是，隨著市場對存儲密度和容量要求越來越高，傳統(tǒng)工藝的lbit/cell的Flash存儲器已經(jīng)不能滿足要求。因此，基于Multilevel Cell的Flash技術(shù)將成為Flash Memory產(chǎn)品發(fā)展的主流和趨勢。 本文采用傳統(tǒng)Flash工藝技術(shù)（SMIC0．22um

2、 Flash工藝），分析了MLC技術(shù)可行性并給出了基于MLC技術(shù)的Flash系統(tǒng)架構(gòu)。根據(jù)對系統(tǒng)架構(gòu)的劃分，對數(shù)字模塊和模擬模塊分別進(jìn)行了線路級設(shè)計。并且根據(jù)MLC技術(shù)的要求，對部分模擬電路作了性能上的改進(jìn)，比如9V正高壓泵和Regulator電路和敏感放大器電路。 此外，本文還提出了一種階梯脈沖式的分組編程算法。根據(jù)不同的待編程數(shù)據(jù)和存儲單元的狀態(tài)，系統(tǒng)可以選擇不同的編程電壓和分組方式，提高了編程的效率和均一性，有效縮短了編程