一種高壓LDMOS的特性分析與建模.pdf

1、本文以構(gòu)建等效電路的方式完成了對(duì)一種700V外延型LDMOS器件的建模工作，這一模型可以被應(yīng)用于電路模擬器的仿真。 首先，本文闡述了LDMOS的耐壓優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，給出了一種700V外延型LDMOS的結(jié)構(gòu)，借助二維數(shù)值模擬軟件MEDICI對(duì)LDMOS特性進(jìn)行分析，詳細(xì)描述了不同柵壓下，其溝道與漂移區(qū)的電流分布情況。闡述了該高壓LDMOS的電流準(zhǔn)飽和機(jī)理。在此基礎(chǔ)上，通過(guò)將LDMOS的結(jié)構(gòu)劃分為3個(gè)區(qū)域，來(lái)獲得它的等效電路模型。文中

2、把溝道區(qū)域等效成增強(qiáng)型普通MOS管，并且首次提出了用兩個(gè)JFET管，模擬LDMOS漂移區(qū)的情況。使得模擬精度較之以往文獻(xiàn)報(bào)道有了較大提高。 其次，在對(duì)等效電路各部分元件參數(shù)的提取過(guò)程中，作者通過(guò)構(gòu)造不同的MOS管結(jié)構(gòu)，在MEDICI模擬器上測(cè)試出不同條件下器件的I-V特性，并用參數(shù)提取軟件AURORA提取了等效MOS管的BSIM3V3和LEVEL49直流模型參數(shù)。對(duì)一些無(wú)法直接提取的JEFT管及電容的參數(shù)，作者則通過(guò)對(duì)器件的結(jié)構(gòu)