PZT薄膜界面“鈍化”層電容測試方法的研究.pdf

1、鐵電存儲(chǔ)器以其優(yōu)越的存儲(chǔ)特性得到了廣泛的關(guān)注,其中應(yīng)用和研究最為廣泛的鐵電材料是鋯鈦酸鉛Pb(Zr1-xTix)O3(簡稱PZT)。PZ工具有較低的處理溫度(最低結(jié)晶溫度:450℃)和極高的自發(fā)極化強(qiáng)度(2Pr可達(dá)到60μc/cm2)吸引了人們廣泛的注意。但是PZT作為一種優(yōu)秀的鐵電材料,仍然存在以下幾方面的問題限制了它的應(yīng)用與發(fā)展:極化疲勞；電荷保持時(shí)間短；印記效應(yīng)。PZT的這三個(gè)問題就像鐵電存儲(chǔ)器應(yīng)用天空上的三朵烏云,如果不破開這三

2、朵烏云,鐵電存儲(chǔ)器的研究將始終得不到發(fā)展,終將為歷史所遺棄。
　　 國內(nèi)外學(xué)術(shù)界以及工業(yè)界為了克服PZT的這三大困難,提出了很多解決方案。最主要的解決方案有以下幾種:1,對(duì)PZT摻雜改性,如摻Ni。2,使用Bi系層狀結(jié)構(gòu)鐵電材料,如SBT,BLT等代替PZT。3,使用金屬氧化物電極或其它也具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電化合物電極取代Pt電極,如IrO,LaNiO3。除了這些化學(xué)方面的改進(jìn)外,人們普遍意識(shí)到在鐵電電容中電極和鐵電薄膜之間存在