基于多孔硅的三維PN結(jié)結(jié)構(gòu)探索.pdf

1、本文論述了基于多孔硅的三維PN結(jié)結(jié)構(gòu)的形成及在核電池和X射線探測(cè)器中的應(yīng)用，同時(shí)研究了此三維PN結(jié)結(jié)構(gòu)的制備工藝，特別地討論了電化學(xué)刻蝕技術(shù)形成多孔結(jié)構(gòu)的工作原理，并且進(jìn)行了采用SiO2掩膜和Si3N4掩膜制備三維PN結(jié)結(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)探索。 第一章首先介紹了基于多孔硅的三維PN結(jié)結(jié)構(gòu)的形成、應(yīng)用、研究現(xiàn)狀以及本文工作。 第二章介紹了三維PN結(jié)的制備工藝，并且重點(diǎn)介紹了電化學(xué)刻蝕多孔硅的工作原理及其影響因素。 第三章討

2、論了采用SiO2掩膜的p-型半導(dǎo)體硅上制作宏多孔硅結(jié)構(gòu)，再進(jìn)行擴(kuò)散制得三維PN結(jié)，探索其I-V、C-V電學(xué)性能，并且進(jìn)行了孔距、孔深影響的模擬，特別是著重分析孔距(側(cè)壁厚度)的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)側(cè)壁厚度薄到兩側(cè)的擴(kuò)散層接近會(huì)聚時(shí)，孔深的提高對(duì)有效結(jié)面積影響不大。 第四章詳細(xì)討論了采用低應(yīng)力Si3N4掩膜的p-型硅上制作宏多孔硅，再進(jìn)行擴(kuò)散制得三維PN結(jié)。此實(shí)驗(yàn)重點(diǎn)是擴(kuò)大側(cè)壁厚度，以提高三維PN結(jié)的有效結(jié)面積。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，采用抗蝕性