ATM啟動自噬在人腫瘤細胞低劑量輻射超敏感性中作用的研究.pdf

1、目的:探討A549細胞發(fā)生低劑量輻射超敏向低劑量輻射抗拒轉(zhuǎn)變(HRS/IRR)的機制及ATM激酶和自噬在其中的作用。
　　方法:(1)流式分選計數(shù)克隆形成法檢測不同劑量照射后人肺腺癌A549細胞株(HRS/IRR+)及人宮頸癌SIHA細胞株(HRS/IRR-)的存活分數(shù),觀察HRS/IRR與放射劑量間的關(guān)系。(2)酶標儀檢測不同劑量照射后兩種細胞內(nèi)活性氧(ROS)水平。(3)Westernblot免疫印跡法檢測不同劑量照射后兩種細

2、胞中Phospho-ATM(Ser1981)/ATM和自噬相關(guān)蛋白MAP1LC3BⅠ/Ⅱ(微管相關(guān)蛋白1輕鏈3BⅠ/Ⅱ)表達水平。(4)激光共聚焦LC3-GFP檢測法觀察不同劑量照射后兩種細胞的自噬發(fā)生情況。(5)透射電鏡檢測兩種細胞在接受0.2Gy劑量照射后胞漿中自噬泡形成情況。
　　結(jié)果:(1)A549細胞表現(xiàn)出顯著的HRS/IRR現(xiàn)象;而SIHA細胞無。(2)當輻射劑量≤0.2Gy時,A549細胞內(nèi)ROS水平隨著放射劑量的增

3、加而增加,當劑量達到0.3Gy時,細胞內(nèi)ROS則出現(xiàn)明顯的下降,隨后ROS隨著放射劑量的增加而再度增加;SIHA細胞中ROS水平隨放射劑量的增加無顯著改變。(3)A549細胞在0.2Gy時,Phospho-ATM(Ser1981)開始表達,隨放射劑量增加表達無明顯變化;SIHA細胞在起始劑量便存在Phospho-ATM(Ser1981)表達,與放射劑量變化無關(guān)。A549細胞在0.2Gy時,MAP1LC3BⅡ開始表達并隨放射劑量增加而表達

4、增加;SIHA細胞在起始劑量便存在MAP1LC3BⅡ表達,隨放射劑量增加而表達增加。(4)A549細胞在放射劑量達到0.2Gy時可見自噬發(fā)生,后隨放射劑量增加自噬逐漸累積;SIHA細胞在起始劑量便存在自噬,并隨放射劑量增加而累積。(5)電鏡下觀察到在0.2Gy時A549細胞僅有極少量自噬泡結(jié)構(gòu);而同樣放射劑量下SIHA細胞中有顯著地自噬泡產(chǎn)生。
　　結(jié)論:(1)ATM激酶的活化與自噬啟動可能存在關(guān)聯(lián)。(2)ATM激酶的活化與HRS