ITO納米粉的低溫制備.pdf

1、透明導(dǎo)電氧化物薄膜在光電產(chǎn)業(yè)扮演著很重要的角色.目前應(yīng)用廣泛的透明導(dǎo)電氧化物薄膜主要有氧化銦錫薄膜(ITO)、氧化鋅鋁膜(AZO)、摻銻氧化錫(ATO)等.銦錫氧化物(ITO)是制造透明電極的重要材料.ITO薄膜導(dǎo)電性好,對可見光透明,對紅外反射性強.ITO結(jié)構(gòu)中的氧空位和錫摻雜使得它具有很強的導(dǎo)電性,較大的能帶間隙寬度(E<,g>>3eV)使得它具有很強的光透明性.因為ITO薄膜的優(yōu)良光電性能、很強吸附能力、硬度高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,使得

2、ITO薄膜廣泛地應(yīng)用于很多領(lǐng)域:太陽能電池、液晶顯示器、現(xiàn)代戰(zhàn)機和巡航導(dǎo)彈的窗口等.在銦錫氧化物(ITO)的研究領(lǐng)域里,有關(guān)ITO薄膜的研究進行了幾十年.為了滿足光電產(chǎn)業(yè)界對ITO薄膜的強大需求,ITO粉體的制備生產(chǎn)技術(shù)和薄膜的形成取得了很大的成效.目前,工業(yè)界主要是先將ITO粉制成靶材,再利用直流磁控濺射工藝,在材料的表面形成ITO薄膜.制備ITO粉體的方法有:液相沉淀法、減壓-揮發(fā)氧化法、噴霧熱分解法、共沉淀法、溶膠-凝膠法等.金屬

3、銦和錫都是中國富產(chǎn)的有色金屬,但是中國所用的ITO材料仍然來源于進口.因此,我們迫切要求改變原料廉價出口、產(chǎn)品高價進口的局面,以滿足高技術(shù)領(lǐng)域?qū)TO薄膜材料的需求,創(chuàng)造巨大的經(jīng)濟效益與社會效益.在這篇文章里,我們嘗試用改進的水熱法來制備ITO納米粉末.將銦錫氫氧化物置于充滿氬氣的高壓釜,在300℃,2MPa的條件下就可制得ITO的納米顆粒.該方法與以前的方法相比,反應(yīng)條件更加的柔和,在300℃就生成了ITO粉末,粒徑大小為10-20n