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1、作為寬能隙直接能帶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，A1N，GaN，InN'等Ⅲ族氮化物由于高效率可見光和紫外光發(fā)射以及光響應(yīng)特性而在全色光器件方面具有良好的應(yīng)用前景。其中，AIN還具有高熱導(dǎo)、高硬度以及良好的介電性質(zhì)、聲學(xué)性質(zhì)和化學(xué)穩(wěn)定性，可望在短波光發(fā)射和光探測、表面聲學(xué)、壓電器件等光電子和微電子器件方面得到廣泛應(yīng)用。本文采用中頻反應(yīng)磁控濺射方法在Si(111)上生長AIN薄膜，主要考察了襯底溫度和退火溫度對薄膜結(jié)構(gòu)性能等的影響，利用原子力顯微鏡(
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