肖特基二極管抗輻照能力表征技術(shù)研究.pdf

1、為了滿足航天電子系統(tǒng)對(duì)SBD抗輻照能力進(jìn)行評(píng)估的要求，本論文課題通過(guò)理論研究和60Co r射線輻照實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析，研究了器件輻照損傷效應(yīng)及其抗輻照能力的表征方法。文中設(shè)計(jì)了SBD器件印Co丫射線輻照實(shí)驗(yàn)，測(cè)試器件電特性和1/f噪聲特性，詳細(xì)分析器件損傷微觀機(jī)制，深入研究輻照損傷對(duì)SBD器件正反向1.v特性和l/f噪聲的影響，并確定反向漏電流、擊穿電壓和1/f噪聲功率譜強(qiáng)度擬合參數(shù)B為器件抗輻照能力表征參量。 研究結(jié)果表明，輻照主要

2、產(chǎn)生電離效應(yīng)，在器件表面的鈍化層中引人界面態(tài)，使器件性能退化，反向擊穿電壓減小、漏電流變大、1/f噪聲參數(shù)B急劇增加；但是沒(méi)有明顯引起正向特性變化。輻照誘生新的界面態(tài)，改變界面態(tài)密度分布，進(jìn)而調(diào)制了肖特基勢(shì)壘高度，增大表面復(fù)合速度，是引起器件性能退化主要原因，也是1/f噪聲劇烈增加的主要原因。 基于SBD輻照損傷機(jī)理及1/f噪聲的總劑量效應(yīng)、產(chǎn)生機(jī)制及1/f噪聲的遷移率漲落和載流子數(shù)漲落模型的研究，建立SBD器件1/f噪聲抗輻照