基于SiC肖特基二極管的PFC電路仿真研究.pdf

1、碳化硅（SiC）因其禁帶寬度大，擊穿電場高，熱導(dǎo)率大，電子飽和漂移速度高等優(yōu)異特性成為繼硅、鍺、砷化鎵之后的新一代半導(dǎo)體材料。SiC材料制成的二極管具有高工作溫度、高耐壓、正溫度系數(shù)，反向特性好等的特點，因此成為現(xiàn)今研究的熱點。 功率因數(shù)校正器（Power Factor Correction，簡稱PFC）電路對配電網(wǎng)的質(zhì)量也具有不可或缺的意義。在硬開關(guān)連續(xù)導(dǎo)電模式Boost變換中，升壓二極管的反向恢復(fù)會引起較大的反向恢復(fù)損耗和過

2、高的di/dt，產(chǎn)生嚴重的電磁干擾。因此，在提高功率因數(shù)的同時，提高開關(guān)管的熱穩(wěn)定性，降低電磁干擾、電壓應(yīng)力及電流應(yīng)力尤為重要。 碳化硅二極管反向電流較小及反向恢復(fù)時間接近零等方面的優(yōu)勢，對于PFC電路的研究具有深遠的意義。本文介紹了SiC肖特基二極管的特性，PFC電路的拓撲結(jié)構(gòu)，并基于SiC肖特基二極管對PFC電路進行仿真。針對市場上應(yīng)用較多的UC3854控制的PFC電路都是基于Si的，本文主要仿真基于碳化硅的功率因數(shù)控制電路