Ni-4H-SiC肖特基二極管輸運性質(zhì)及SiC薄膜制備研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、第一章綜述了SiC材料基本的物理化學性質(zhì)以及SiC材料和器件的研究進展.包括SiC的基本結(jié)構(gòu)、同質(zhì)多型、熱學和光學性質(zhì)、電學特性等,以及SiC塊狀單晶和薄膜材料的制備與進展.最后還介紹了SiC半導體器件的性能及其研究進展,包括肖特基二極管、紫外光電探測二極管、金屬半導體場效應晶體管、SiC集成電路等.第二章中,我們采用高真空電子束蒸發(fā)的方法將鎳(Ni)淀積在4H-SiC(0001)面上,制備出良好的Ni/4H-SiC肖特基接觸.測量了N

2、i/4H-SiC肖特基勢壘在強磁場和低溫下的I-V特性,并以熱電子發(fā)射理論為基礎結(jié)合弛豫近似玻爾茲曼方程對Ni/4H-SiC肖特基勢壘在磁場下的輸運性質(zhì)進行了初步的分析和計算,發(fā)現(xiàn)電流的變化與磁場的平方和電壓成線性關系,和溫度成反比關系,這與我們的實驗結(jié)果基本符合.第三章中,我們利用金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)設備對于在Si襯底上生長SiC薄膜進行了初步的研究.利用X射線衍射和掃描電鏡等實驗手段對反應氣體流量比和襯底生長前期處理對

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