復(fù)合式寬帶EMI抑制元件及材料.pdf

1、本論文的研究目的是為新型復(fù)合式寬帶EMI抑制元件的研制提供理論和實(shí)驗(yàn)依據(jù)。針對傳統(tǒng)鐵氧體抑制元件在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)的頻帶窄、高頻性能差問題，分別從結(jié)構(gòu)和材料兩方面入手提出了解決方案。 首先，通過采用復(fù)合式結(jié)構(gòu)展寬抑制元件頻帶。結(jié)合實(shí)際條件，分別提出低頻阻抗復(fù)合寬帶與高頻插損復(fù)合寬帶模型，并給出了模型的結(jié)構(gòu)與等效電路。在對兩模型的等效電路進(jìn)行驗(yàn)證之后，對復(fù)合式元件的性能進(jìn)行了實(shí)際測試，結(jié)果表明：低頻阻抗復(fù)合寬帶與高頻插損復(fù)合寬帶模型

2、是合理的，從理論上分析了復(fù)合式元件能有效展寬頻帶，實(shí)現(xiàn)寬帶功能。 其次，通過制備新型材料解決高頻性能差的問題。在分析了限制軟磁合金高頻應(yīng)用的幾個(gè)因素及解決對策之后，設(shè)計(jì)了合理的軟磁合金復(fù)合材料制備工藝。通過微觀形貌觀察與復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率測試，對不同制備階段的樣品進(jìn)行了分析，研究了制備過程對磁性能的影響，優(yōu)化了材料制備工藝。最終獲得的軟磁合金復(fù)合材料磁導(dǎo)率虛部μr″具有“雙峰共振”寬帶分布頻率特征，高磁導(dǎo)率頻寬達(dá)GHz，在1.2GHz頻