AlGaInN量子阱LED的研究.pdf

1、白光LED（Light Emitting Diode ）由于其效率高、壽命長(zhǎng)、體積小、易集成、驅(qū)動(dòng)電壓低、無(wú)污染等各種優(yōu)點(diǎn)被譽(yù)為將要替代白熾燈的新一代照明光源。但是目前的白光LED主要由藍(lán)光泵浦YAG黃光熒光粉或由三基色LED合成白光而得，提高了封裝和后期電路的制作成本，并且黃光熒光粉固有的“暈輪”效應(yīng)使其不適合于室內(nèi)照明,而直接出射白光的LED并不存在上述問(wèn)題。本文主要對(duì)GaN LED進(jìn)行了理論和實(shí)驗(yàn)研究，主要內(nèi)容如下： (1

2、) 從理論上詳細(xì)研究了應(yīng)變、壓電效應(yīng)、庫(kù)倫屏蔽效應(yīng)等對(duì)AlGaInN 量子阱LED的能帶結(jié)構(gòu)和自發(fā)發(fā)射譜的影響，確定了它們?cè)贕aN LED發(fā)光特性中的重要地位。并應(yīng)用K?P method 理論和自洽解法對(duì)量子阱組分、結(jié)構(gòu)參數(shù)、不同注入載流子濃度比對(duì)發(fā)光光譜特性的影響進(jìn)行了研究。為進(jìn)一步的研究奠定了良好的理論基礎(chǔ)。 (2) 應(yīng)用能帶理論和色度學(xué)相關(guān)知識(shí)對(duì)雙有源區(qū)和三有源區(qū)直接出射白光的AlGaInN多量子阱LED的結(jié)構(gòu)、組分進(jìn)行設(shè)