GaN基長波紫外LED多量子阱結(jié)構(gòu)調(diào)整對光效的影響.pdf

1、隨著近年來的發(fā)展，GaN基紫外LED成為繼藍光LED之后新研究領(lǐng)域熱點和市場關(guān)注的焦點。GaN基紫外LED具有體積小、壽命長、環(huán)保以及堅固耐用等優(yōu)點，在應用于新一代紫外光源方面具有廣闊的的應用前景。長波段365nm是傳統(tǒng)紫外光源的一個典型波長，廣泛應用于固化、曝光、防偽等領(lǐng)域。但是，目前該長波波段的GaN基紫外LED的發(fā)光效率仍然很低，發(fā)光性能還遠遠滿足不了市場的需求，無法完全取代傳統(tǒng)長波紫外光源。因此，對于365nm長波波段的紫外LE

2、D進行深入的研究，開發(fā)出具有更好光電性能的器件，這對未來的紫外LED取代傳統(tǒng)紫外光源并廣泛應用于市場各領(lǐng)域具有十分重要的意義和影響。
　　本論文主要研究GaN基紫外LED多量子阱結(jié)構(gòu)調(diào)整對其發(fā)光效率的影響，希望通過調(diào)整使得365nm左右波段的紫外LED發(fā)光性能得到提升。論文首先介紹了LED以及紫外LED的概況和發(fā)展情況，之后對GaN基材料的一些性質(zhì)做了詳細的接受，接著又對生長材料的MOCVD技術(shù)做了詳細的介紹，并全面地介紹了XRD

3、、PL、EL、AFM和SEM這些實驗中用到的表征方法。最后設(shè)計實驗通過調(diào)整量子阱阱寬和壘層Al摻量來實現(xiàn)提升發(fā)光效率的目的。兩部分實驗成果如下：
　　1．對InGaN/AlGaN量子阱阱寬調(diào)整進行了兩個批次實驗。在保證波長在365nm左右波段的條件下，第一個批次實驗確定了2倍到5倍阱寬的發(fā)光性能優(yōu)化范圍，第二個批次實驗則確定了3倍最優(yōu)阱寬，使得外延片的發(fā)光效率最高，性能最好。最終也就得出了通過調(diào)整量子阱阱寬來提高365nmGaN基

4、長波紫外LED發(fā)光效率的方案結(jié)果。
　　2．對InGaN/AlGaN量子阱壘層Al摻量調(diào)整也進行了兩個批次實驗。在保證波長在365nm左右波段的條件下，在第一個批次實驗中確認了壘層Al摻量在由5％變大時，發(fā)光效率變低，性能變差。在第二個批次實驗中，確認了壘層Al摻量在由5％變小時，發(fā)光亮度略有變低。因此確定了壘層Al摻量控制在5％最合適。最終也就得出通過調(diào)整量子阱壘層Al摻量來提高365nmGaN基長波紫外LED發(fā)光效率的方案結(jié)果