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文檔簡介
1、西安電子科技大學碩士學位論文MOS器件潛在損傷的1f噪聲檢測方法研究姓名:花永鮮申請學位級別:碩士專業(yè):微電子學與固體電子學指導(dǎo)教師:莊奕琪2001.1.1AbstractThispaperproposestoprobemoreeffectivemethodsfordiagnosingreliabilityofmicroelectronicdevicesAimingatlatentdamageinducedbyESD,1/fnoises
2、pectrumandanewmethodsimilarityCOefficientbasedonthematchedmaximaofwavelettransformmodulusareofferedatthesanletimeInthepapertheESDstressingtestsfornchannelMOSFETsareperformed,andmainelectricalparameters,1/fnoisespectruman
3、ditstimeseriesaremonitoreddudngthetestItisfoundthatthe1/fnoisechangesmuchmoresensitivetotheESDIatentdamagethantheelectricalparameters,atthesametimesimilaritycoefficientalsochangesmorequicklyespeciallyforsmallerW/Ldevices
4、Itisshowninmechanismanalysisthat1/fnoiseoriginatingfrombordertrapsiSsensitivetobothoftheoxidechargesandinterfacetrapSinducedbyESDandHCIandthesimilaritycoefficientCallexpressthelocalcharacterizationmorethoroughlywhilethec
5、hangesofelectricalparametersusuallylieononeofthedefectsSo,both1/fnoisepowerspectrummeasurementandsimilaritytoefficientextractedfromitstimeseriescan0骯reconomicaleffectiveandindestructibletooltodetectthe1atentAamageinduced
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