橫向剪切干涉的特性研究和波面重建.pdf

1、隨著電路芯片集成度的提高，光刻技術(shù)已經(jīng)成為大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路制作過程中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，它對(duì)微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有至關(guān)重要的影響。光刻成像透鏡像差是影響激光投影光刻機(jī)精度的一個(gè)重要因素，因而二級(jí)波像差的定性研究和定量測(cè)量有著重要的意義。橫向剪切干涉儀是光干涉測(cè)量?jī)x中重要的一種，用于測(cè)量檢驗(yàn)時(shí)由于不需要參考波面而對(duì)測(cè)量條件的要求比其它干涉儀低一些，對(duì)氣流和溫度等擾動(dòng)因素不敏感，并可用于對(duì)大口徑光學(xué)元件的測(cè)量，因而文中對(duì)橫向剪切干涉法檢測(cè)波

2、像差所得到的干涉圖進(jìn)行研究。 該論文概述了專門用于測(cè)量像差的干涉儀、干涉條紋的相位測(cè)量技術(shù)和常用的擬合波面方法等干涉測(cè)量技術(shù)，并從定性分析和定量測(cè)量?jī)蓚€(gè)方面對(duì)光學(xué)元件的波像差進(jìn)行了研究。為了進(jìn)行定性分析，文中首先建立了一個(gè)共軸旋轉(zhuǎn)對(duì)稱系統(tǒng)的光學(xué)衍射模型，模擬了初級(jí)像差和二級(jí)像差的衍射圖像，并逐個(gè)分析了初級(jí)像差和二級(jí)像差的成像特征，給出了伴隨波像差數(shù)值變化的典型圖像。同時(shí)根據(jù)光干涉原理，模擬了平行光橫向剪切干涉時(shí)初級(jí)像差和次級(jí)像差