2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路集成度增加，晶片尺寸不斷增大，等離子蝕刻的刻蝕速率控制和不均勻度控制變得越來越重要。等離子刻蝕又是復雜離子團在電場磁場中的復雜化學物理作用，對于整個晶片的蝕刻速率和均勻度難以用簡單理論模型計算分析。
　　 本文針對這一需要和困難，采用正交法科學地安排試驗，綜合多組試驗，研究了等離子刻蝕中反應氣體流量，反應氣體壓力，旋轉磁場強度，刻蝕射頻能量等因素對SiO2和光阻的刻蝕速率及不均勻度的影響。并對結果進行分析計算，得到了

2、有關參數(shù)對SiO2和光阻的刻蝕速率、不均勻度和刻蝕選擇比的影響程度，為新工藝的開發(fā)和生產(chǎn)的維護提供參考依據(jù)。
　　 試驗結果表明：
　　 刻蝕氣體是對刻蝕速率影響最大的因素，但RF能量增加對刻蝕氣體作用有強化影響。當射頻能量小于1000W時，且CF4/Ar<20％，反應以物理刻蝕為主，超過20％后化學刻蝕明顯增強。當射頻能量超過1000W，射頻能量以物理轟擊為主成為主要影響因素。磁場對刻蝕不均勻度有強烈影響，其他影響因素

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