電子封裝用β-SiCp-Al的無壓浸滲工藝優(yōu)化與定型.pdf

1、隨著集成電路的高速發(fā)展,高的密封密度對與其匹配的電子封裝材料提出了更高的要求。由于鋁具有密度低,熱導(dǎo)率高,價格低廉且易于加工的特點,選為制備電子封裝用復(fù)合材料的基體,與SiC顆粒復(fù)合,克服了各自的缺點且表現(xiàn)出高導(dǎo)熱、低膨脹、高模量、低密度等優(yōu)異的綜合性能,因此,在電子封裝領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。探求低成本的制造工藝是當(dāng)前該材料研究的熱點。
　　用β-SiC制備SiCp/Al復(fù)合材料,僅有本課題組開展這方面的研究,前面的工作主要集中

2、在空氣氣氛中無壓浸滲法制備高體積分數(shù)的β-SiCp/Al電子封裝材料及其性能研究上,本文重點開展了對無壓浸滲預(yù)制型的研究,包括粘結(jié)劑含量、壓力大小和造孔劑添加量對預(yù)制型性能的影響,從而確定最優(yōu)的模壓工藝參數(shù);對 Al基體以及顆粒級配優(yōu)化以改善復(fù)合后β-SiC/A1復(fù)合材料的性能;通過對β-SiC/A1復(fù)合材料的無壓浸滲工藝參數(shù)的研究,主要包括預(yù)浸滲溫度和保溫時間,最終確定電子封裝用β-SiCp/Al復(fù)合材料的無壓浸滲制備工藝。
　

3、　獲得的主要結(jié)果有:1.粘接劑聚乙烯醇(PVA)的加入量為β-SiC質(zhì)量的3～5％,壓制壓力為80MPa時,β-SiC預(yù)制型的成型性及其性能都較好。2.最佳的Mg添加量為9％,最佳的Si添加量為10％。3.在5μm和46μm的雙尺寸β-SiC顆粒級配的情況下,預(yù)制型的體積分數(shù)隨粗細顆粒配比的不同可從52％到72％之間進行調(diào)節(jié),預(yù)制型的粗細顆粒質(zhì)量比為3:1的時候體積率可以達到最大為72％,且制備的復(fù)合材料較單一粒度14μm的顆粒制備的復(fù)