2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、佳木斯大學(xué)碩士學(xué)位論文噴涂SiCpAl電子封裝材料制備、組織與熱物性的研究姓名：胡海亭申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：材料加工工程指導(dǎo)教師：胡明20070329佳木斯大學(xué)碩士學(xué)位論文AbstractSprayedSiCp／A1compositeswithhighSiCvolumefractionwerefabricatedbysubsonicflamesprayingtechnique，whichmetthedemandofelectronic

2、packingmaterials(EPMs)TheinfluencesofballminingprocessontheAISiCcomplexpowderwerediscussed，theeffectsofsprayingtechnologyonthemicrostructuresofSiCp／AIEPMswereinvestigated，therolesofhotpressinginmicrostrucaaesandthermalph

3、ysicalpropertiesofsprayedSiCp／A1EPMswereanalyzedThethermalexpansionbehaviorsandthermalconductivityofSiCp／AIEPMsweredeterminedTheballmillingandsprayingandhotpressingprocesseswereoptimizedThestudylaidthefirststoneforapplic

4、ationofsprayedSiCp／A1EPMsinthefutureTheresultsshowthat，thelongerbalimillingtime，thefinerandmoreuniformtheSiCandA1powderdistribute；relativelytime，runningspeedofballmillingismorehelpfultothehomogeneityandfine；withThemassrm

5、iobetweentheballtopowderincreasing，thecomplexpowdergetfinerandfiner，andmoreA1coatingSiCparticlesTheresultsdemonstratealsothat，theSiCvolumefractioninthesprayedSiCp／A1EPMsincreaseswithsprayingdistancedecreasingandacetylene

6、pressureincreasing；withcompressedairpressuredecreasing，therateandprobabilityofSiCdepositdropTheresultspresentfurtherthat，thedensityofsprayedSiCp／A1EPMsrisesandgetsacertainvalue、vitlltemperatureandtemperatureincreasingThe

7、microstroctttresgetmoreevenanddensifiedafterhotpressingTheresultsrevealedthatthemicmstructuresofthecompositewereuniformanddenseAtthesametime，theinterfacesbetweenSiCparticleandA1bondedwell；theXRDtestprovesthatSiCandA1Wele

8、mainphasesintheflamesprayedcomposite，andafewAlzOswasfoundinthecompositeafewllano—grainandparticlewereseenintheflamesprayedcomposites；thecavitiesanddislocationsandporesaremaindefectsinthealuminummatrix，thedislocationsands

9、tackingfaultsandafewoffinecracksintheSiCparticlesCertaininterfacerelationshipsexistsbetweenSiCandA1matrixTheresultsprovesthat，thethermalexpansioncoefficientsofSiCp／A1EPMsdecreaseswi也SiCvolumefractionandporesincreasingand

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