場滲透對n型硅場發(fā)射電子能譜的影響.pdf

1、平板顯示技術(shù)是當(dāng)今社會發(fā)展的趨勢,場發(fā)射顯示是非平板顯示-陰極射線管顯示(CRT)的平板化,具有分辨率高、色彩再現(xiàn)性好、對比度高、響應(yīng)速度快、工作溫度范圍寬、電磁輻射小、易于實(shí)現(xiàn)數(shù)字化顯示等優(yōu)點(diǎn)。場發(fā)射顯示的核心技術(shù)是場發(fā)射電子源,即陰極技術(shù),研究場發(fā)射陰極材料是降低其成本的重要途徑之一。硅基的場發(fā)射電子源可以實(shí)現(xiàn)與微電子器件的兼容,研究半導(dǎo)體硅的場發(fā)射是非常有意義的。半導(dǎo)體的場發(fā)射理論并不成熟,它的場發(fā)射要比金屬復(fù)雜的多。深入理解半導(dǎo)

2、體場發(fā)射的機(jī)制是開發(fā)高效場發(fā)射陰極的基礎(chǔ),場發(fā)射電子能譜包含著豐富的場發(fā)射信息,它是研究場發(fā)射機(jī)理的最重要的手段。
　　 本論文通過數(shù)值模擬,計算了n型硅的電場滲透和硅的電子能帶結(jié)構(gòu),討論了電場滲透對半導(dǎo)體硅的場發(fā)射能譜的影響。
　　 在本文中,首先利用數(shù)值模擬的方法計算了n型硅微尖的場發(fā)射尖端內(nèi)部的電勢分布、電場分布以及電荷密度分布,并系統(tǒng)地研究了摻雜濃度、溫度變化、柵極電壓對電場滲透的影響,進(jìn)而討論電場滲透對微尖表面